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Qinwei 600V 15A Diodos de recuperación rápida MUR1560FB
Qinwei 600V 15A Diodos de recuperación rápida MUR1560FB
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Qinwei 600V 15A Diodos de recuperación rápida MUR1560FB

Qinwei 600V 15A Diodos de recuperación rápida MUR1560FB

Cantidad de pedido mínima:1

Descripción
Atributos del producto

ModeloMUR1560FB(QINWEI)

MarcaQinwei

Tipo De AlimentaciónFabricante original, Agencia, ODM, Detallista, otro

Materiales De ReferenciaFoto, ficha de datos

VRRM600V

IF(AV)15A

VF(IF=15A,TC=25℃)Typ1.3V

VF(IF=15A,TC=25℃)Max1.65V

IFSM150A

Trr(IF=0.5A,IR=1.0A,irr=0.25A)Typ25ns

Tj150℃

PackageTO-220F-2L

TRR (if = 0.5a, Ir = 1.0a, IRR = 0.25a) Max40ns

Embalaje y entrega
Dispositivos discretos de semiconductores
El diodo de recuperación rápida es un diodo semiconductor diseñado específicamente para operaciones de conmutación rápida.
Características
* Corriente de fuga inversa inferior
* Bajo consumo de energía, alta eficiencia
* Alta fiabilidad
* Producto compatible con ROHS
Aplicaciones
* Unidades de motor
* SUMINISTROS DE MODE DE MODE
* Sistemas de control industrial
Paquete y contorno
TO20F-2L
                                               Diode TO-220F-2L
MUR1560FB Package
Calificaciones máximas (TC = 25 ℃)
Parameter Symbol Value Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM

VRWM
VR
600 V
Average Rectified Forward Current IF(AV)
 
 15
               
A
Surge non repetitive forward current
   (tp = 8.3 ms sinusoidal)
IFSM 150 A
Storage Temperature Range Tstg -55~+150
Operating Junction Temperature TJ 150
Características eléctricas
Parameter Symbol Value(typ) Value(max) Unit
 Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
@ IF = 15A, TC = 25°C
@ IF = 15A, TC = 125°C
VF
               
1.30
1.21
 
1.65
1.50
V
 Instantaneous Reverse Current (Note 1)
@ Rated DC Voltage, TC = 25°C
@ Rated DC Voltage, TC = 125°C
IR                   0.04
3.6
                             
2
100
uA
Maximum Reverse Recovery Time
 IF=0.5A, IR= 1.0A,irr0.25A
TRR 25 40 ns
* El diodo de recuperación rápida (FRD) es un tipo de diodo semiconductor diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, que pertenece a la categoría de componentes electrónicos. Su característica central es un tiempo de recuperación inverso extremadamente corto, típicamente en el rango de nanosegundos a microsegundos. Al cambiar de sesgo hacia adelante a un sesgo inverso, corta rápidamente el flujo de corriente, reduciendo así significativamente las pérdidas de conmutación e interferencia electromagnética (EMI). Esta característica lo hace adecuado para circuitos de alta frecuencia, como fuentes de alimentación en modo de interruptor, inversores, calefacción de inducción y circuitos de accionamiento de motor.
Productos
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