Modelo: LEGM200BH120L2H
Vces: 1200V
IC(TC=100 ℃): 200A
ICRM: 400A
VGE: ± 30V
Ptot: 950W
VCE(sat)@VGE=15V,Tvj=25 ℃: 1.80V
ICES: 3.0mA
Paquete: L2
200a 1200V Módulo IGBT-LEGM200BH120L2H
Características
• V CE = 1200V I C = 200a
• Bajo V CE (SAT)
• V CESAT con coeficiente de temperatura positiva
• Temperatura máxima de unión 150 ℃
• Paquete de tipo de aislamiento
Aplicaciones
- Energía renovable : inversores solares, convertidores de turbinas eólicas y sistemas de almacenamiento de energía
- Unidades de motor industrial : controlar motores de CA en bombas, compresores y automatización de fábrica
- Vehículos eléctricos (EV) : inversores de tracción para el control del motor, los convertidores DC-DC
- Control de motores y impulsos
Tipo de paquete y circuito interno
El módulo de potencia IGBT es un dispositivo de semiconductor de potencia integrado que combina múltiples chips IGBT, diodos de rueda libre y componentes auxiliares (por ejemplo, sensores de temperatura, controladores de puerta) en un solo paquete compacto. Diseñado para operaciones de alto voltaje (hasta 6.5kV), alta corriente (hasta miles de amperios) y operaciones de conmutación de alta frecuencia, actúa como un interruptor electrónico eficiente para controlar grandes cantidades de potencia eléctrica en los sistemas industriales.
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