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Lanzamiento de nuevo producto Oblea de MOSFET de SiC de puerta de trinchera/diseño de chip desnudo de MOSFET de SiC de puerta de trinchera (representación de muestra) Mitsubishi Electric Corporation anunció el 4 de junio de 2026 que comenzará a proporcionar muestras de dos nuevos chips desnudos MOSFET de SiC de quinta generación a partir de finales de junio del mismo año. Este chip es adecuado para inversores accionados por motor y eAxles¹ (ejes motrices eléctricos) en vehículos eléctricos...
Recientemente, la 13.ª Conferencia de Innovación en Electrónica Automotriz de Shanghai y la Exposición de Aplicaciones de Tecnología de Semiconductores Automotrices AEIF 2026 llegaron a una conclusión exitosa. En esta fiesta de la industria que reunió a las élites mundiales de la electrónica automotriz, BYD Semiconductor se destacó con su tecnología de vanguardia: los chips BMS AFE de grado automotriz BF8915A-1/BF8915B-1 ganaron el "Premio al Chip Dorado de Electrónica Automotriz 2026 -...
Con el aumento continuo de los requisitos de eficiencia del sistema eléctrico y densidad de potencia en aplicaciones como nueva energía, fuentes de energía de carga rápida, fuentes de alimentación para servidores, inversores fotovoltaicos y variadores de motores industriales, los dispositivos de energía de carburo de silicio (SiC) se están convirtiendo en el foco de atención de la industria debido a las excelentes propiedades de sus materiales. Recientemente, Longten Semiconductor lanzó...
Introducción del producto Característica del producto Tecnología central ◆Ventajas del chip: Equipado con el corte de canal de microranura de séptima generación GEN.7 IGBT ◆ Expansión de personalización: admite los requisitos personalizados de los clientes para múltiples rangos de potencia ◆ Producción ajustada: Los sistemas MES y ERP garantizan que se pueda rastrear la información de producción en el módulo. Área de aplicación Sistema de almacenamiento de energía Inversor fotovoltaico Otras...
STMicroelectronics ha lanzado dos convertidores VIPerGaN de alto voltaje de 100 W, ampliando la tecnología de ahorro de energía de banda ancha a electrodomésticos, automatización de edificios y del hogar, iluminación inteligente, así como a productos de consumo como televisores y cargadores. Los dos convertidores de potencia lanzados recientemente son el VIPerGaN100W con una corriente límite de fuga de 3,5 A y el VIPerGaN100WB con 4,2 A. Este último puede soportar brevemente una potencia máxima...
Recomendación de nuevo producto de Maplesemi: Serie MOSFET de SiC de 750 V
Recientemente, Maplesemi Semiconductor lanzó una serie de productos MOSFET de SiC de 750 V. A través del diseño innovador de la estructura del dispositivo, ha logrado un avance tecnológico en el apagado de voltaje cero, resolviendo de manera efectiva la dependencia del MOSFET de SiC tradicional en el apagado de voltaje negativo y brindando una solución más simple y confiable para sistemas de energía de alta densidad. Aspectos destacados del producto — Margen nominal de voltaje superior a 800 V,...
En escenarios de aplicación como conversión de frecuencia de nueva energía, control industrial, almacenamiento de energía fotovoltaica, conversión de frecuencia de pequeños electrodomésticos y servoaccionamiento, las actualizaciones de eficiencia energética, la miniaturización y la alta confiabilidad se han convertido en necesidades esenciales en la industria. A medida que avanza la estrategia global de neutralidad de carbono, los países están endureciendo los estándares de eficiencia...
El primer MOSFET de alto voltaje de Longten Semiconductor basado en la nueva plataforma G3 Super Junction 650V -LSD65R150G3- ha sido lanzado oficialmente al mercado. Este dispositivo adopta un paquete TO-220F completamente aislado, que presenta una menor resistencia de encendido, una carga de compuerta superior y una velocidad de conmutación más rápida, lo que proporciona una nueva generación de soluciones de energía central para aplicaciones como fuentes de alimentación LED, adaptadores de...
Recientemente, Longten ha lanzado un MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 600 V, 80 A y 37 mΩ. Basándose en el soporte dual de la tecnología de superunión avanzada y el innovador proceso de expansión de platino, el producto, con sus principales ventajas de pérdida ultrabaja, excelentes características del diodo del cuerpo, alta confiabilidad de grado industrial y gran adaptabilidad a la escena, ofrece una nueva solución mejorada para aplicaciones de suministro de energía de alta...
Carga lenta, ansiedad por la autonomía de la batería, sobrecalentamiento del vehículo durante la carga y riesgos de seguridad en escenarios de alto voltaje... ¡Estos problemas de larga data que han afectado a los propietarios de vehículos eléctricos ahora se han resuelto con soluciones integrales! Con la plataforma de alto voltaje de 1000 V convirtiéndose en la tendencia principal en la industria de vehículos eléctricos, la tecnología Mwahua Flash Charging 2.0 ha llevado la eficiencia de carga...
La evolución de los chips de IoT durante 20 años, estancada en un paso crucial Los estándares han cambiado, por lo que es necesario reescribir los chips nuevamente. Durante esta transformación, GSMA lanzó la especificación SGP.32 para escenarios de IoT en 2023. En comparación con la especificación SGP.02 diseñada anteriormente para dispositivos de consumo, el cambio más significativo en SGP.32 es que elimina la necesidad de interacción manual en el sitio. Los dispositivos pueden completar...
La definición de ST para microcontroladores generales (MCU) no incluye MCU de seguridad ni MCU de grado automotriz. Fuente: Omdia, "Annual 2001-2025 Semiconductor Market Share Competitive Landscape Tool", marzo de 2026. Los resultados anteriores no constituyen un respaldo a STMicroelectronics. Cualquier confianza en estos resultados por parte de un tercero es bajo su propio riesgo. La participación de mercado se calcula en función de los ingresos (en dólares estadounidenses).
![[Lanzamiento de nuevo producto] CRMICRO lanza productos SGT MOS de alto rendimiento de quinta generación para garantizar un funcionamiento eficiente y confiable de BMS](http://bsg-i.nbxc.com/company/7b/174bcf1258e51cac557d545a4e85d7.jpg?x-oss-process=image/resize,w_500/format,jpg)
1. Introducción del producto El CRSZ014N08N5Z lanzado por PIBG es el último logro de la plataforma tecnológica SGT de quinta generación de la compañía. Su rendimiento integral se ha mejorado significativamente. En comparación con el producto de la generación anterior, CRSZ014N08N5Z ha realizado mejoras notables en indicadores clave como SOA y UIS, y puede proporcionar una solución más segura y confiable para aplicaciones BMS.2. Superioridad del producto 2.1. Mejora significativa del rendimiento...
¡Se ha publicado la última edición del "Informe técnico de Sanken" (Vol. 57)!
El "Informe técnico de SANKEI" es una colección de artículos técnicos que presentan las últimas tecnologías y productos desarrollados por el Grupo SANKEI para lograr una sociedad que ahorre energía. Se ha publicado el último número (Vol. 57) de noviembre de 2025. Esta vez, presentaremos a todos el estado de desarrollo del IC convertidor CA/CC "serie STR5A300". · Resumen · La serie STR5A300 es un IC de potencia diseñado para aplicaciones de energía no aisladas. Cuenta con un...
ST Microelectronics anunció que los microcontroladores de uso general STM32 fabricados localmente en China ya han comenzado a entregarse. El primer lote de productos de obleas STM32 de ST Microelectronics, cuya producción fue contratada por Huahong Hongli, se envió sucesivamente a clientes nacionales. Este hito marca un progreso significativo en la estrategia de cadena de suministro global de ST Microelectronics. La compañía planea lograr la producción en masa local de más series de productos...
I. Introducción del producto El producto QCS7209BF lanzado por PIBG ha logrado un rendimiento avanzado internacional y ha pasado la certificación de confiabilidad AEC-Q100 (Grado 2). El QCS7209BF envía señales ultrasónicas a través del transductor del controlador, amplifica y convierte las señales de eco recibidas y realiza procesamiento de optimización como control de ganancia de tiempo (TGC), generación de umbral (TG), ajuste de umbral (TA), mejora de señal (SE) y detección de eco (RWD) a...
Introducción del producto NCE 150V Wide SOA SGT MOSFET
Ventaja principal Características básicas del producto Escenarios de aplicación Fuentes de alimentación industriales: fuente de alimentación láser, sistema UPS Vehículos eléctricos: Controlador de velocidad del ventilador del aire acondicionado automotriz, Cargador a bordo Almacenamiento de energía: sistema BMS Comunicación/Servidor: Intercambio en caliente Esquema de nombres
Recientemente, ST (STMicroelectronics) lanzó Stellar P3E, que es el primer microcontrolador automotriz (MCU) que integra un acelerador de IA y está diseñado específicamente para la inteligencia de vanguardia automotriz. Stellar P3E está dirigido al futuro desarrollo de vehículos definidos por software y puede simplificar la integración multifuncional de la unidad de control electrónico (ECU) " X-in-one ", reduciendo así los costos, el peso y la complejidad del sistema. La...
NXP Semiconductors ha anunciado el lanzamiento de su primera serie de transceptores PMD 10BASE-T1S producida en masa, incluido el TJA1410 para aplicaciones automotrices y el TJF1410 para aplicaciones de control industrial y automatización de edificios. Estos dos dispositivos representan una evolución significativa en la tecnología Ethernet, permitiendo a los OEM extender la cobertura Ethernet hasta el borde de la red y sentando una base de red unificada y escalable para acelerar la transición a...
Introducción del producto Tecnología central Área de aplicación
Mapa de innovación de semiconductores de potencia de Mitsubishi Electric 2025
Aparato con DIPIPMTM: Diseño compacto, potente eficiencia Nuevos módulos IGBT de generación de energía: actualización de energía, empoderamiento ecológico Módulos HV para tracción y transmisión de potencia: alto voltaje, carga pesada, acompañamiento estable Esta serie de módulos de potencia de alta capacidad, al adoptar diodos patentados y componentes IGBT y combinarlos con una estructura de terminal de chip única, puede mejorar significativamente el rendimiento de resistencia a la humedad,...
Descripción general del producto Tamaño pequeño, alta confiabilidad, bajo costo. Trinity mejora la resistencia del producto Estricta evaluación y certificación para garantizar la calidad de los productos a enviar. Adoptar el modelo IDM para construir un sistema de cadena de suministro seguro y confiable Especificación de producto Escenario de aplicación típico: carga rápida para teléfonos móviles Lista de productos En el subcampo OVP bidireccional de 40 V, en comparación con productos de la...
Introducción del producto SGT MOSFET de recuperación inversa ultrarrápida de NCE 250 V
Ventaja principal Características básicas Área de aplicación Comunicación Fuente de alimentación industrial circuito inversor Control de motores de 48V - 100V Amplificación de audio clase D Para diferentes escenarios de aplicación, New Energy Power ha lanzado varias series de productos. En el modelo NCEP025S90T, la letra "S" indica que este producto pertenece a la serie super recovery. Si aquí no hay ninguna letra, indica la serie de plataforma general.
Análisis del principio de funcionamiento de la protección de baterías de litio Comparación de esquemas de protección de baterías de litio El MOSFET de bajo voltaje tipo ranura de NCE es adecuado para aplicaciones en esquemas de protección de baterías de litio.
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