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La evolución de los chips de IoT durante 20 años, estancada en un paso crucial Los estándares han cambiado, por lo que es necesario reescribir los chips nuevamente. Durante esta transformación, GSMA lanzó la especificación SGP.32 para escenarios de IoT en 2023. En comparación con la especificación SGP.02 diseñada anteriormente para dispositivos de consumo, el cambio más significativo en SGP.32 es que elimina la necesidad de interacción manual en el sitio. Los dispositivos pueden completar...
La definición de ST para microcontroladores generales (MCU) no incluye MCU de seguridad ni MCU de grado automotriz. Fuente: Omdia, "Annual 2001-2025 Semiconductor Market Share Competitive Landscape Tool", marzo de 2026. Los resultados anteriores no constituyen un respaldo a STMicroelectronics. Cualquier confianza en estos resultados por parte de un tercero es bajo su propio riesgo. La participación de mercado se calcula en función de los ingresos (en dólares estadounidenses).
![[Lanzamiento de nuevo producto] CRMICRO lanza productos SGT MOS de alto rendimiento de quinta generación para garantizar un funcionamiento eficiente y confiable de BMS](http://bsg-i.nbxc.com/company/7b/174bcf1258e51cac557d545a4e85d7.jpg?x-oss-process=image/resize,w_500/format,jpg)
1. Introducción del producto El CRSZ014N08N5Z lanzado por PIBG es el último logro de la plataforma tecnológica SGT de quinta generación de la compañía. Su rendimiento integral se ha mejorado significativamente. En comparación con el producto de la generación anterior, CRSZ014N08N5Z ha realizado mejoras notables en indicadores clave como SOA y UIS, y puede proporcionar una solución más segura y confiable para aplicaciones BMS.2. Superioridad del producto 2.1. Mejora significativa del rendimiento...
¡Se ha publicado la última edición del "Informe técnico de Sanken" (Vol. 57)!
El "Informe técnico de SANKEI" es una colección de artículos técnicos que presentan las últimas tecnologías y productos desarrollados por el Grupo SANKEI para lograr una sociedad que ahorre energía. Se ha publicado el último número (Vol. 57) de noviembre de 2025. Esta vez, presentaremos a todos el estado de desarrollo del IC convertidor CA/CC "serie STR5A300". · Resumen · La serie STR5A300 es un IC de potencia diseñado para aplicaciones de energía no aisladas. Cuenta con un...
ST Microelectronics anunció que los microcontroladores de uso general STM32 fabricados localmente en China ya han comenzado a entregarse. El primer lote de productos de obleas STM32 de ST Microelectronics, cuya producción fue contratada por Huahong Hongli, se envió sucesivamente a clientes nacionales. Este hito marca un progreso significativo en la estrategia de cadena de suministro global de ST Microelectronics. La compañía planea lograr la producción en masa local de más series de productos...
I. Introducción del producto El producto QCS7209BF lanzado por PIBG ha logrado un rendimiento avanzado internacional y ha pasado la certificación de confiabilidad AEC-Q100 (Grado 2). El QCS7209BF envía señales ultrasónicas a través del transductor del controlador, amplifica y convierte las señales de eco recibidas y realiza procesamiento de optimización como control de ganancia de tiempo (TGC), generación de umbral (TG), ajuste de umbral (TA), mejora de señal (SE) y detección de eco (RWD) a...
Introducción del producto NCE 150V Wide SOA SGT MOSFET
Ventaja principal Características básicas del producto Escenarios de aplicación Fuentes de alimentación industriales: fuente de alimentación láser, sistema UPS Vehículos eléctricos: Controlador de velocidad del ventilador del aire acondicionado automotriz, Cargador a bordo Almacenamiento de energía: sistema BMS Comunicación/Servidor: Intercambio en caliente Esquema de nombres
Recientemente, ST (STMicroelectronics) lanzó Stellar P3E, que es el primer microcontrolador automotriz (MCU) que integra un acelerador de IA y está diseñado específicamente para la inteligencia de vanguardia automotriz. Stellar P3E está dirigido al futuro desarrollo de vehículos definidos por software y puede simplificar la integración multifuncional de la unidad de control electrónico (ECU) " X-in-one ", reduciendo así los costos, el peso y la complejidad del sistema. La...
NXP Semiconductors ha anunciado el lanzamiento de su primera serie de transceptores PMD 10BASE-T1S producida en masa, incluido el TJA1410 para aplicaciones automotrices y el TJF1410 para aplicaciones de control industrial y automatización de edificios. Estos dos dispositivos representan una evolución significativa en la tecnología Ethernet, permitiendo a los OEM extender la cobertura Ethernet hasta el borde de la red y sentando una base de red unificada y escalable para acelerar la transición a...
Introducción del producto Tecnología central Área de aplicación
Mapa de innovación de semiconductores de potencia de Mitsubishi Electric 2025
Aparato con DIPIPMTM: Diseño compacto, potente eficiencia Nuevos módulos IGBT de generación de energía: actualización de energía, empoderamiento ecológico Módulos HV para tracción y transmisión de potencia: alto voltaje, carga pesada, acompañamiento estable Esta serie de módulos de potencia de alta capacidad, al adoptar diodos patentados y componentes IGBT y combinarlos con una estructura de terminal de chip única, puede mejorar significativamente el rendimiento de resistencia a la humedad,...
Descripción general del producto Tamaño pequeño, alta confiabilidad, bajo costo. Trinity mejora la resistencia del producto Estricta evaluación y certificación para garantizar la calidad de los productos a enviar. Adoptar el modelo IDM para construir un sistema de cadena de suministro seguro y confiable Especificación de producto Escenario de aplicación típico: carga rápida para teléfonos móviles Lista de productos En el subcampo OVP bidireccional de 40 V, en comparación con productos de la...
Introducción del producto SGT MOSFET de recuperación inversa ultrarrápida de NCE 250 V
Ventaja principal Características básicas Área de aplicación Comunicación Fuente de alimentación industrial circuito inversor Control de motores de 48V - 100V Amplificación de audio clase D Para diferentes escenarios de aplicación, New Energy Power ha lanzado varias series de productos. En el modelo NCEP025S90T, la letra "S" indica que este producto pertenece a la serie super recovery. Si aquí no hay ninguna letra, indica la serie de plataforma general.
Análisis del principio de funcionamiento de la protección de baterías de litio Comparación de esquemas de protección de baterías de litio El MOSFET de bajo voltaje tipo ranura de NCE es adecuado para aplicaciones en esquemas de protección de baterías de litio.
Los módulos de potencia Jinlan potencian la transformación energética con tecnología "central"
La implementación de políticas depende en última instancia de la innovación tecnológica y de productos confiables. Jinlan Power Semiconductor, aprovechando las ventajas de sus chips de desarrollo propio y sus capacidades de ajuste personalizado, ha lanzado soluciones integrales de módulos de potencia en tres áreas clave: almacenamiento de energía, fotovoltaica y transformadores de estado sólido. Actualmente, la mayoría de sus productos han pasado las pruebas de los clientes y han entrado en la...
Introducción del producto Jinlan Power Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. ha lanzado un producto adecuado para inversores fotovoltaicos de cadena de 125 KW: JL3T400V120SE3G7SS. Adopta el paquete Jinlan LE3 (compatible con el paquete Easy 3B). Ya pasó las pruebas de los clientes y actualmente se encuentra en la etapa de suministro masivo. Tecnología central Excelentes parámetros dinámicos y estáticos, baja caída de voltaje, baja pérdida dinámica, adecuado para escenarios de aplicaciones de alta...
El Power Device Business Group (PDBG) de China Resources Microelectronics ha logrado otro avance significativo en su segmento de módulos de accionamiento principal de SiC. El módulo de accionamiento principal SiC MOS de cuarta generación desarrollado independientemente por PDBG se ha presentado con éxito a un fabricante de automóviles líder y ahora se encuentra en producción en masa para la instalación en vehículos. Este módulo se basa en el chip de plataforma SiC MOS G4 de 1200 V de PDBG, que...
El rápido desarrollo de la industria de vehículos de nueva energía está impulsando una fuerte demanda de soluciones de administración de energía de alto rendimiento, alta eficiencia y altamente confiables. El Power Device Business Group (en lo sucesivo, PDBG), basándose en su profunda acumulación técnica en el campo de los semiconductores y confiando en el diseño de toda la cadena de IDM, se ha centrado continuamente en los campos de control industrial y electrónica automotriz de alta gama,...
![La pérdida de conmutación se reduce en más del 20% en comparación con productos similares en el mercado. * IPM automotriz [SAM265M50AS3]](http://bsg-i.nbxc.com/company/3b/3d6c094295733f1c4df944acfded5f.png?x-oss-process=image/resize,w_500/format,png)
Entre los motores utilizados para accionar los motores trifásicos de alto voltaje de la 【Serie SAM2】, el 【SAM265M50AS3】 ahora se ha puesto oficialmente en producción en masa. La 【Serie SAM2】 adopta un diseño integrado todo en uno, que incorpora componentes de conmutación de salida, precontroladores, diodos de autoalimentación con resistencias limitadoras de corriente y termistores, que son todos los componentes esenciales necesarios para controlar los accionamientos de motores trifásicos. El...
Nuevo producto Mitsubishi Electric Group anunció el 11 de septiembre de 2025 que comenzará a suministrar nuevos módulos semiconductores de potencia DIPIPM compactos para equipos domésticos e industriales (como aires acondicionados de gabinete, sistemas de calefacción con bomba de calor y agua caliente) el 22 de septiembre. La nueva serie Compact DIPIPM incluye PSS30SF1F6 (corriente nominal 30 A/voltaje nominal 600 V) y PSS50SF1F6 (corriente nominal 50 A/voltaje nominal 600 V). Al...
Módulo IGBT de alta densidad de corriente LE2 200A/650V
Módulo IGBT de alta densidad de corriente LE2 200A/650V JL3I200V65RE2PN es un módulo inversor INPC de tres niveles de 650 V/200 A, que utiliza chips IGBT7 con tecnología de terminación de compuerta de zanja, equipado con un termistor (NTC) y tecnología de pasador de engarzado PressFIT opcional. Este módulo IGBT se recomienda para uso en filtros de potencia activos (APF) y otras aplicaciones de tres niveles. APF se puede aplicar ampliamente en las redes de distribución de industrias,...
Introducción a los productos MOSFET SOA anchos de la serie HO de NCE
Principales ventajas tecnológicas 1. Corriente de cortocircuito de zona lineal superfuerte, comparación de valores medidos de capacidad de cortocircuito La prueba de capacidad de cortocircuito se realizó entre el producto representativo de la amplia serie SOA HO, NCE09N70A, y el producto más antiguo del mismo nivel de potencia de NCE: la capacidad de cortocircuito en el rango lineal aumentó en un 50% y la capacidad de cortocircuito de la primera categoría aumentó en un 50%. 2. Área de operación...
NCE SJ MOSFET G4.0 800V y 900V Introducción del producto
Comparación de los valores del multiplicador Rdson a alta temperatura para productos de la misma especificación: en comparación con Gen3, Gen4 ha disminuido en un 16 %; Los productos Gen4 e internacional I han alcanzado el mismo nivel. Comparación de FOM: la versión Gen4 es un 25 % más baja que los productos Gen3 y los internacionales I. Modelo de producto Características del producto ●Densidad de corriente de alta potencia ●Rsp de resistencia ultrabaja ● Alta confiabilidad ● Mejor FOM ● Las...
Chip controlador de puerta en fase de lado bajo de doble canal NSG4427 2A
NSG4427 es un controlador de puerta en fase MOSFET e IGBT de potencia de bajo voltaje. La tecnología patentada CMOS de inmunidad de pestillo permite una gran robustez. El nivel de entrada es compatible con niveles de salida lógica CMOS o LSTTL de tan solo 3,3 V. Tiene un amplio rango de VCC, bloqueo por subtensión con retardo y una etapa de amortiguación de corriente de salida. La conexión paralela de dos canales puede mejorar la capacidad de conducción. Características del producto: Reemplazo...
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