Módulo único de SiC de 1500 V, que facilita la implementación eficiente de carga rápida 2.0 a nivel de megavatios
2026,05,15
Carga lenta, ansiedad por la autonomía de la batería, sobrecalentamiento del vehículo durante la carga y riesgos de seguridad en escenarios de alto voltaje... ¡Estos problemas de larga data que han afectado a los propietarios de vehículos eléctricos ahora se han resuelto con soluciones integrales! Con la plataforma de alto voltaje de 1000 V convirtiéndose en la tendencia principal en la industria de vehículos eléctricos, la tecnología Mwahua Flash Charging 2.0 ha llevado la eficiencia de carga a un nuevo nivel. La tensión soportada, la pérdida y la confiabilidad de los dispositivos eléctricos se han convertido en las barreras centrales que determinan la velocidad de carga y la seguridad del vehículo.
En respuesta a los puntos débiles de la industria, BYD Semiconductor ha estado profundamente involucrado en la investigación y el desarrollo de la tecnología de carburo de silicio. Desarrolló de forma independiente el tubo único de SiC TO-247-4 de 1500 V. Este producto está equipado con su propio chip SiC de alto rendimiento, que aborda fundamentalmente las deficiencias de los componentes tradicionales y logra indicadores técnicos líderes en la industria. Se ha convertido en el motor principal de la carga rápida de megavatios 2.0, eliminando por completo los persistentes problemas de carga de los vehículos de nueva energía y abriendo un nuevo capítulo en la carga rápida de alto voltaje.
Gracias a los chips de SiC desarrollados por BYD, este tubo único presenta una resistencia de área unitaria extremadamente baja de 20 mΩ, lo que puede reducir significativamente la pérdida de energía durante el proceso de carga, disminuir la generación de calor del dispositivo y hacer que el proceso de carga sea más eficiente y estable. Al mismo tiempo, tiene una frecuencia de conmutación más alta, que puede cumplir con los requisitos de carga de alta velocidad de la carga rápida de megavatios 2.0, acortando significativamente el tiempo de carga y permitiendo a los propietarios de automóviles decir adiós a los largos tiempos de espera.
En el sistema de carga rápida MW, el transistor único de SiC de 1500 V es responsable de la conversión de energía del núcleo: - Conecte la entrada de 380V
- Conversión frontal a voltaje de corriente continua
- Y luego, se aumenta de manera eficiente a un alto voltaje de 1000 V para cargar directamente la batería.
|
Lo que es particularmente digno de mención es que el voltaje de ruptura (BV) de este tubo único de carburo de silicio es un 10% mayor que el de productos similares en el mercado. Su rendimiento de voltaje soportado extremadamente fuerte crea una línea de defensa segura para escenarios de carga de alto voltaje. Incluso en entornos de trabajo de potencia extremadamente alta, puede mantener un funcionamiento estable y eliminar los riesgos de seguridad causados por fallas de componentes, brindando una protección integral para la seguridad de carga y la confiabilidad del circuito de todo el vehículo. En el circuito central de la carga rápida 2.0 de megavatios, al confiar en el chip SiC de desarrollo propio y el empaque TO-247-4 optimizado, este tubo único aún mantiene bajas pérdidas, baja generación de calor y alta estabilidad en condiciones de alta frecuencia, alto voltaje y alta corriente. Permite transmitir cada grado de electricidad desde la red eléctrica a la batería con la mayor eficiencia, proporcionando una solución perfecta que combina eficiencia y confiabilidad para escenarios de carga rápida de alto voltaje.
Desde el avance tecnológico hasta la implementación industrial, el lanzamiento de este tubo único de carburo de silicio no solo demuestra las sólidas capacidades de investigación y desarrollo de nuestra empresa, sino que también lleva la tecnología de carga rápida de alto voltaje para vehículos de nueva energía a un nuevo nivel. Además de los productos de alto voltaje especialmente diseñados para carga rápida a nivel de megavatios, BYD Semiconductor también ofrece una serie de productos de un solo tubo adecuados para diversos campos, como vehículos de nueva energía, carga con almacenamiento eólico, industria y electrodomésticos. Estos tubos individuales cubren varios tipos, como IGBT, MOSFET, SiC MOSFET, FRD y TVS, para satisfacer las necesidades de diferentes escenarios de aplicación. Al mismo tiempo, también ofrece diversas formas de embalaje, como el módulo de medio puente SOP-9, QDPAK, TO-263-7L, TO-247Plus-4L, TO-247Plus-3L, TO-247-3L, TO-247-4L, TO-220-3L y TO-220F-3L, para cumplir con diversos requisitos de diseño y fabricación.
La evolución de la industria, la tecnología marca el camino. En el futuro, BYD Semiconductor continuará enfocándose profundamente en el campo de los dispositivos de energía, rompiendo constantemente los límites tecnológicos, brindando un impulso central continuo para la popularización generalizada de la carga rápida de megavatios 2.0 y el desarrollo de alta calidad de la industria de vehículos de nueva energía, y ayudando a todas las personas a disfrutar de un nuevo estilo de vida de viaje ecológico que sea eficiente, seguro y conveniente.
