Módulo IGBT de alta densidad de corriente LE2 200A/650V

2025,11,06

Módulo IGBT de alta densidad de corriente LE2 200A/650V

JL3I200V65RE2PN es un módulo inversor INPC de tres niveles de 650 V/200 A, que utiliza chips IGBT7 con tecnología de terminación de compuerta de zanja, equipado con un termistor (NTC) y tecnología de pasador de engarzado PressFIT opcional.

Este módulo IGBT se recomienda para uso en filtros de potencia activos (APF) y otras aplicaciones de tres niveles. APF se puede aplicar ampliamente en las redes de distribución de industrias, negocios y organizaciones gubernamentales, como sistemas de energía, empresas de galvanoplastia, equipos de tratamiento de agua, empresas petroquímicas, grandes centros comerciales y edificios de oficinas, empresas de electrónica de precisión, sistemas de suministro de energía de aeropuertos y puertos, e instituciones médicas, etc.

Serie de productos:

● JL3I200V65RE2PN

● JL3I150V65RE2PN

● JL3I100V65RE2PN

Característica del producto

Excelente conducción y pérdidas de conmutación.
El mejor embalaje de su tipo, estructura de carcasa optimizada y distancia de fuga más larga
Usando sustrato ZTA, menor resistencia térmica de la carcasa y mayor confiabilidad
El módulo tiene una inductancia parásita extremadamente baja.
Optimice las conexiones de los terminales, logrando un menor aumento de la temperatura de los terminales en condiciones de alta corriente.
Pines PressFIT y agujas de soldadura opcionales

Valor de aplicación

Excelente eficiencia del módulo
Aumentar la densidad de potencia
El sistema tiene una estructura de costes más ventajosa.
Mejorar la eficiencia del sistema
Diseño compacto

Ventaja competitiva

Bajo la misma topología del paquete, la capacidad actual máxima puede alcanzar los 200 A. Mientras tanto, el FRD correspondiente está completamente equipado y su capacidad de corriente máxima también puede alcanzar los 200 A, lo que brinda a la aplicación final una ventaja de producto más significativa.

Es totalmente compatible y es más adecuado para aplicaciones de almacenamiento de energía.

La nueva tecnología de chip puede reducir las pérdidas de conducción y conmutación, mejorando así la eficiencia.

Área de aplicación

SVG
APF
Otras aplicaciones de tres niveles

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Autor:

Mr. qinweidz

Correo electrónico:

carolyne@gisiancorp.com

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