Mitsubishi Electric Corporation anunció el 4 de junio de 2026 que comenzará a proporcionar muestras de dos nuevos chips desnudos MOSFET de SiC de quinta generación a partir de finales de junio del mismo año. Este chip es adecuado para inversores accionados por motor y eAxles¹ (ejes motrices eléctricos) en vehículos eléctricos (EV), vehículos eléctricos híbridos enchufables (PHEV) y otros vehículos electrificados (XEV). El chip MOSFET de SiC de quinta generación adopta la estructura de compuerta de zanja única de Mitsubishi Electric ², logrando un nivel líder en la industria ³ de baja resistencia ⁴, que es aproximadamente un 25 % menor que el de los productos existentes ⁵.
Este chip se exhibirá en la PCIM Expo & Conference 2026 celebrada en Nuremberg, Alemania (del 9 al 11 de junio de 2026), así como en exposiciones relacionadas en Japón, China y otros lugares.
El chip desnudo MOSFET de SiC de quinta generación de Mitsubishi Electric ayudará a mejorar el rendimiento del inversor xEV y los eAxles1, y a lograr la miniaturización del producto, ampliando así el rango de conducción del xEV y mejorando la eficiencia del trabajo. Además, la tecnología de proceso de fabricación única de Mitsubishi Electric puede suprimir eficazmente la disminución del rendimiento de los chips durante el funcionamiento a largo plazo.
Características del producto
La nueva estructura de compuerta de zanja reduce la resistencia de los MOSFET de SiC, mejorando efectivamente el rango de conducción xEV y la eficiencia operativa.
- La estructura única de contacto de fuente plana (FSC) de Mitsubishi Electric, la novedosa estructura de rejilla de zanja y la tecnología tradicional de implantación de iones oblicuos han aumentado la densidad celular al tiempo que promueven el flujo de corriente, logrando así un nivel de baja resistencia líder en la industria.
- Su resistencia es aproximadamente un 25% menor que la de los MOSFET de SiC de compuerta de zanja existentes de Mitsubishi Electric, lo que ayuda a mejorar el rendimiento del inversor xEV y lograr su miniaturización, ampliando así el rango de conducción del xEV y mejorando su eficiencia de trabajo.
La nueva tecnología de fabricación MOSFET de SiC de puerta ranurada mantiene el rendimiento xEV durante mucho tiempo
- La tecnología de proceso de fabricación exclusiva de Mitsubishi Electric puede suprimir la degradación del rendimiento causada por la recuperación inversa de los diodos del cuerpo, ayudando así a estabilizar la calidad del dispositivo.
- El nuevo MOSFET de SiC de puerta de trinchera puede suprimir la pérdida de energía y la fluctuación de resistencia generada durante el proceso de conmutación. Esto se atribuye a la tecnología patentada de Mitsubishi Electric acumulada durante más de 20 años en la investigación, el desarrollo y la fabricación de MOSFET de 8SiC de compuerta plana/compuerta de zanja y SBD9 de SiC, incluido su exclusivo control de proceso de SiC y sus distintivos métodos de fabricación de película de óxido de compuerta.
- La calidad estable del dispositivo contribuirá a la durabilidad del inversor xEV y los eAxles1, garantizando así el rendimiento a largo plazo del xEV.
Fondo
Desde que Mitsubishi Electric lanzó módulos semiconductores de potencia de SiC que reducen significativamente la pérdida de energía en 2010, estos productos se han utilizado ampliamente en sistemas inversores de aires acondicionados, equipos industriales y vehículos ferroviarios, contribuyendo a la reducción del consumo de energía en electrodomésticos, equipos industriales y vehículos ferroviarios.
En el futuro, Mitsubishi Electric planea ampliar su suministro de chips desnudos MOSFET de SiC de alta calidad y bajas pérdidas para xEV y otros dispositivos electrónicos de potencia que ahorran energía para respaldar la transición ecológica.
