[Lanzamiento de nuevo producto] CRMICRO lanza productos SGT MOS de alto rendimiento de quinta generación para garantizar un funcionamiento eficiente y confiable de BMS

2026,04,02

Con la mejora continua de los requisitos de rendimiento de las baterías para vehículos de nueva energía y sistemas de almacenamiento de energía, los sistemas de baterías están evolucionando hacia voltajes más altos, mayores capacidades y mayores densidades de energía. Esto exige que el componente principal, el sistema de gestión de baterías (BMS), posea mayor precisión, mayores capacidades de monitoreo y un mayor nivel de seguridad para satisfacer consistentemente las estrictas demandas del mercado en cuanto a alcance, vida útil y seguridad de la batería. Según las predicciones de las instituciones pertinentes, se espera que el tamaño del mercado mundial de BMS supere los 100 mil millones de yuanes para 2027, convirtiéndose en un área de crecimiento clave en la transformación energética. Dirigido a este segmento de mercado de rápido crecimiento, el Power Integration Business Group (PIBG) de China Resources Microelectronics ha lanzado el SGT MOSFET de quinta generación - CRSZ014N08N5Z, aportando un gran avance en tecnología y experiencia de productos al mercado global de BMS.

△ Forma del paquete del producto: PEAJE

1. Introducción del producto

El CRSZ014N08N5Z lanzado por PIBG es el último logro de la plataforma tecnológica SGT de quinta generación de la compañía. Su rendimiento integral se ha mejorado significativamente. En comparación con el producto de la generación anterior, CRSZ014N08N5Z ha realizado mejoras notables en indicadores clave como SOA y UIS, y puede proporcionar una solución más segura y confiable para aplicaciones BMS.

2. Superioridad del producto

2.1. Mejora significativa del rendimiento

Comparación de parámetros de medición: en comparación con los productos principales de la industria (con una resistencia máxima en estado encendido de aproximadamente 1,4 mΩ), el RDS(encendido) medido de CRSZ014N08N5Z es el más bajo. Su valor típico de VTH es 3,1 V, lo que no solo cumple con el requisito de RDS (encendido) bajo cuando el canal está completamente abierto durante la conducción en estado estable, sino que también permite un umbral de apagado más rápido durante el apagado.

△ Prueba de parámetros de CC

Características SOA: en los escenarios de control de potencia y protección del circuito principal de BMS, las características SOA de los MOSFET son los factores clave para garantizar su funcionamiento seguro y confiable. Para cumplir con los requisitos para el funcionamiento seguro y estable del sistema, PIBG, basado en la plataforma tecnológica SGT de quinta generación, ha definido y optimizado estrictamente las características SOA de los MOSFET.

La medición real y la comparación de formas de onda muestran que bajo las mismas condiciones de Roff, al simular la capacidad de apagado lento del BMS, la capacidad de impacto de corriente de cortocircuito del CRSZ014N08N5Z ha mejorado significativamente en comparación con el producto de la generación anterior, dando al BMS una ventaja destacada en el manejo de situaciones extremas.

△ Características SOA medidas del CRSZ014N08N5Z de quinta generación

△ Resultados de la medición de las características SOA de la generación anterior CRSZ014N08N4Z

△ Los datos característicos SOA medidos de CRSZ014N08N5Z en comparación con los de la generación anterior CRSZ014N08N4Z

Capacidad UIS: Los datos de medición reales de la capacidad UIS para CRSZ014N08N5Z en comparación con la generación anterior CRSZ014N08N4Z son los siguientes:

△ Forma de onda de UI medida del CRSZ014N08N5Z de quinta generación

△ La forma de onda UI medida real de la generación anterior CRSZ014N08N4Z

Basado en la optimización significativa de Rsp, PIBG ha mejorado significativamente SOA y UIS del SGT MOSFET de quinta generación a través de un diseño de producto innovador y optimización estructural. Esto le permite no sólo ofrecer una mayor confiabilidad en las aplicaciones BMS, sino también lograr un mejor control de costos, brindando así a los clientes una solución altamente competitiva y rentable.

Prueba de aplicación: Durante la prueba real de la placa de protección BMS de 120 A de un paquete de baterías ternarias de litio de 17 celdas, se descubrió que el producto era capaz de cumplir con los requisitos de aplicación en condiciones extremas.

2.2. Aspectos técnicos destacados

Proceso avanzado de ancho de línea ultrapequeño y bajo voltaje de 12 pulgadas;
Robustez Súper SOA;
El valor de Rsp ha alcanzado el nivel líder en la industria.

3. Aplicación del producto

El producto SGT MOS de quinta generación CRSZ014N08N5Z de PIBG se puede aplicar ampliamente en varios campos de aplicación de BMS, como almacenamiento doméstico y sistemas de almacenamiento fuera de la red, así como sistemas de baterías para vehículos de dos y tres ruedas, etc. Ya ha logrado un suministro masivo a varias empresas líderes en el campo de BMS.

4. Nueva lista de productos