— Margen nominal de voltaje superior a 800 V, con mayor capacidad de avalancha y voltaje de ruptura que GaN, cumpliendo con los requisitos para aplicaciones de 650 V/750 V.
— Admite conmutación de voltaje cero, lo que simplifica los circuitos de accionamiento para reducir el costo y el tamaño, al mismo tiempo que previene de manera efectiva los encendidos falsos y mejora la confiabilidad del sistema. El producto es compatible con el modo tradicional de apagado por voltaje negativo, lo que permite la sustitución perfecta de dispositivos basados en silicio y la adaptación a diversas topologías de circuitos.
— Excelentes características de conmutación con parámetros dinámicos significativamente optimizados, lo que ayuda a los sistemas a lograr una mayor eficiencia y densidad de potencia.
— Estabilidad y confiabilidad superiores a altas temperaturas; el producto mantiene un rendimiento estable bajo temperaturas elevadas. Probada en nuestro laboratorio acreditado por CNAS, toda la nueva serie de productos ha pasado la validación de confiabilidad de 1000 horas, lo que garantiza una durabilidad a largo plazo en aplicaciones exigentes.
Ventajas del producto
Optimice los parámetros dinámicos como Qg y Ciss, que son fáciles de manejar y tienen bajas pérdidas de conmutación. La mejora de las características del diodo del cuerpo y un tiempo de recuperación inversa extremadamente corto reduce aún más las pérdidas de conmutación y mejora la eficiencia general de la máquina.
Reconocimiento del mercado y confianza del cliente.
Los productos de carburo de silicio de Maplesemi se han aplicado de manera estable en las principales empresas nacionales de suministro de energía y en las principales empresas mundiales de vehículos de nuevas energías. De enero a octubre de 2025, las ventas de dispositivos de carburo de silicio de Meipusen lograron un crecimiento interanual del 49 %, lo que refleja el reconocimiento del mercado del rendimiento y la confiabilidad de nuestros productos. 04
Recomendación de nuevo producto para el apagado sin tensión
Pruebas típicas de eficiencia de aplicación y aumento de temperatura
Bajo diferentes voltajes de entrada, la eficiencia de SICMOS es aproximadamente entre un 0,5% y un 1% mayor que la de SJMOS. Bajo las condiciones de voltaje de entrada de AC180V y 264V, el rendimiento de temperatura del MSF180075MF es mejor. 3. Se recomienda conducir entre 15 y 18 V, siendo 18 V aún mejor.
Nota
Las pruebas de este artículo se basan en una fuente de alimentación flyback de 100 W + DEMOSTRACIÓN SR síncrona secundaria
2. La entrada DEMO es de 180 a 264 V y la salida es de 24 V 3,8 A. La carga es 24V3.8A según sea necesario y la prueba CC = 3.8A.
3. Voltaje de accionamiento VGS: 16V. 4. Parámetros de muestra de comparación: MSF180075MF: 750V165mΩ
Competidor A: 650V130mΩ Competidor B:650V160mΩ; SJMOS: 650 v150m Ω
