Jinlan Power Semiconductor lanza tres módulos de almacenamiento de energía de tres niveles de 215 kW en la serie LE3

2026,06,01

Con el avance de la nueva tecnología de energía fotovoltaica, las soluciones inteligentes de 1500 V se han adoptado ampliamente en centrales eléctricas montadas en tierra en todo el mundo y también se están aplicando en ciertos sistemas distribuidos en tejados a gran escala. Al aprovechar un voltaje más alto, una mayor producción de energía y relaciones capacidad-potencia mejoradas, esta solución reduce significativamente los costos generales. Los tres módulos de almacenamiento de energía LE3 de 215 kW de Jinlan Power Semiconductor, que presentan una disipación de calor eficiente, tecnología de chip autocontrolada y opciones de configuración flexibles, tienen como objetivo abordar los puntos débiles de la industria en aplicaciones de 1500 V y establecer un nuevo punto de referencia para la innovación tecnológica en el sector.

Módulo INPC de 600 A y 1100 V basado en el paquete LE3

Introducción del producto

Jinlan Power Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. ha lanzado tres módulos de almacenamiento de energía INPC de 215 KW de la serie LE3, que cumplen con diversos requisitos de eficiencia y costos. Se pueden seleccionar de forma flexible en función de las necesidades de aplicación reales de los clientes. Con el núcleo de autonomía tecnológica, diseño modular y servicio ágil, se optimizan capa por capa desde chips hasta sistemas, proporcionando el triple valor de "alta eficiencia, confiabilidad y flexibilidad" para el nuevo campo energético.

El modelo: JL3I600V110SE3E7SS puede alcanzar una potencia de más de 280 KW en condiciones extremas cuando se combina con Si3N4 AMB.

Módulo 215KW - Eficiencia trifásica

La temperatura máxima de unión del chip del módulo de 215KW

Característica del producto

Excelentes parámetros dinámicos y estáticos, baja caída de voltaje, baja pérdida dinámica, adecuado para escenarios de aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia
IGBT con BV de 1100 V, teniendo en cuenta tanto la pérdida de energía como las consideraciones de estrés de voltaje del lado del cliente
A través de un conjunto completo de verificación de confiabilidad a nivel de chip y de paquete
La deformación del módulo terminado se controla dentro de 0,3 mm y el efecto de recubrimiento de la pasta termoconductora de la superficie base superior es aún más sobresaliente.
La selección de sustratos ZTA/AMB garantiza un rendimiento superior de disipación de calor y una mayor confiabilidad.
Modelo modular abierto, combinado con la simulación de condiciones operativas del cliente.

Tecnología central

◆Ventajas del chip: Equipado con el corte de canal de microranura de séptima generación GEN.7 IGBT

◆ Expansión de personalización: admite los requisitos personalizados de los clientes para múltiples rangos de potencia

◆ Producción ajustada: Los sistemas MES y ERP garantizan que se pueda rastrear la información de producción en el módulo.

Área de aplicación