El primer MOSFET de alto voltaje de Longten Semiconductor basado en la nueva plataforma G3 Super Junction 650V -LSD65R150G3- ha sido lanzado oficialmente al mercado. Este dispositivo adopta un paquete TO-220F completamente aislado, que presenta una menor resistencia de encendido, una carga de compuerta superior y una velocidad de conmutación más rápida, lo que proporciona una nueva generación de soluciones de energía central para aplicaciones como fuentes de alimentación LED, adaptadores de alta eficiencia, fuentes de alimentación de alta potencia y fuentes de alimentación industriales.
Ventaja principal El LSD65R150G3 se basa en la plataforma tecnológica de superunión G3 de desarrollo propio de Longten Semiconductor. A través de una optimización profunda de la estructura de la celda, el diseño de la puerta y la capacidad de soportar el voltaje del terminal, reduce significativamente la resistencia y la capacitancia parásita por unidad de área mientras mantiene un alto voltaje de ruptura de 650 V. Como primer producto de esta plataforma, el LSD65R150G3 logra una resistencia de encendido típica de 125 mΩ y un máximo de 150 mΩ a un voltaje de ruptura de 650 V, mientras mantiene la carga total de la compuerta tan baja como 34 nC (valor típico). Esto reduce sustancialmente las pérdidas de accionamiento y conmutación, lo que permite que los sistemas de energía logren diseños de mayor frecuencia y mayor densidad de potencia.
Los resultados de las pruebas del equipo de aplicaciones de Longten Semiconductor muestran que, en comparación con la generación anterior de productos de superunión, el producto de superunión G3 LSD65R150G3 de nueva generación ha optimizado significativamente el rendimiento de resistencia. Bajo el mismo voltaje soportado, la resistencia es menor, lo que reduce la pérdida de conducción. Al mismo tiempo, tanto su carga total de compuerta (Qg) como su capacitancia de entrada (Ciss) se han reducido significativamente, lo que beneficia directamente la reducción de las pérdidas de conmutación: un Qg más bajo puede reducir las pérdidas de conducción y acelerar la respuesta de conmutación, mientras que una Ciss más pequeña puede aumentar aún más la velocidad de conmutación y reducir la demanda de corriente de conducción. Además, la tolerancia a avalanchas de este dispositivo se ha mejorado significativamente, con un EAS aumentando aproximadamente cinco veces y su robustez se ha mejorado considerablemente. Puede soportar un mayor impacto de energía de avalancha y tiene mayor confiabilidad en condiciones de sobretensión o carga inductiva.
Fuente: Medido por el Laboratorio Longten
El gerente de línea de productos de los MOSFET de Longteng declaró: "Nuestro objetivo al diseñar la plataforma G3 y el LSD65R150G3 fue ayudar a los clientes a lograr frecuencias de conmutación más altas y factores de forma más pequeños mientras controlan eficazmente las pérdidas generales del sistema. Según las especificaciones de la hoja de datos y los resultados de las pruebas reales, el LSD65R150G3 ofrece características de recuperación inversa de diodo de cuerpo estable, suficiente robustez ante avalanchas y resistencia controlable a alta temperatura, lo que lo hace completamente capaz de servir como núcleo componente de conmutación en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, cargadores PD y fuentes de alimentación industriales".
