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Qinwei 600V 30A MUR3060P Diodo de recuperación rápida
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Qinwei 600V 30A MUR3060P Diodo de recuperación rápida

Qinwei 600V 30A MUR3060P Diodo de recuperación rápida

Cantidad de pedido mínima:1

Descripción
Atributos del producto

ModeloMUR3060P(QINWEI)

MarcaQinwei

Tipo De AlimentaciónFabricante original, ODM, Agencia, Detallista

Materiales De Referenciaficha de datos, Foto

VRRM600V

IF(AV)30A

VF(IF=30A,TC=25℃)Max1.7V

IFSM300A

TRR (if = 0.5a, Ir = 1.0a, IRR = 0.25a) Max55ns

Tj150℃

PackageTO-247-2L

Embalaje y entrega
Dispositivos semiconductores
Diodo de recuperación súper rápido
Características
* Corriente de fuga inversa inferior
* Bajo consumo de energía, alta eficiencia
* Alta fiabilidad
* Producto compatible con ROHS
Aplicaciones
* Corrector de factor de potencia (PFC)
* Fuente de alimentación del modo de conmutación (SMPS)
* Otros circuitos electrónicos
Paquete y contorno
TO-247-2L
                                       
MUR3060P package
MUR3060P TO-247-2L
Calificaciones máximas (TC = 25 ℃)
Parameter Symbol Value Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM

VRWM
VR
600 V
Average Rectified Forward Current
(Rated VR, TC = 125°C) Per Diode
                                        Per Device
IF(AV)                   15
        30         
A
Surge non repetitive forward current
   (tp = 8.3 ms sinusoidal)
IFSM 200 A
Storage Temperature Range Tstg -55~+150
Operating Junction Temperature TJ 150
Características eléctricas
Parameter Symbol Max Unit
 Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
@ IF = 15A, TC = 25°C
@ IF = 15A, TC = 125°C
VF 1.65
1.50
V
 Instantaneous Reverse Current (Note 1)
@ Rated DC Voltage, TC = 25°C
@ Rated DC Voltage, TC = 125°C
IR 3
200
uA
Maximum Reverse Recovery Time
 IF=0.5A, IR= 1.0A,irr0.25A
TRR 45 ns
El diodo de recuperación rápida (FRD) es un tipo de diodo semiconductor diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, que pertenece a la categoría de componentes electrónicos. Su característica central es un tiempo de recuperación inverso extremadamente corto, típicamente en el rango de nanosegundos a microsegundos. Al cambiar de sesgo hacia adelante a un sesgo inverso, corta rápidamente el flujo de corriente, reduciendo así significativamente las pérdidas de conmutación e interferencia electromagnética (EMI). Esta característica lo hace adecuado para circuitos de alta frecuencia, como fuentes de alimentación en modo de interruptor, inversores y circuitos de accionamiento de motor.
Productos
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