650V 120A Transistor IGBT DXG120N65GS

Cantidad de pedido mínima:1

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Atributos del producto

Modelo: DXG120N65GS

Tipo De Alimentación: Fabricante original, ODM, Agencia, Detallista, otro

Materiales De Referencia: ficha de datos, Foto

Vces: 650V

IC(TC=25 ℃): 180A

IC(TC=100 ℃): 120A

ICM: 360A

IF(TC=100 ℃): 120A

IFM: 480A

VCE (SAT) (típ.): 1.8V

Package: TO-247 Plus

Embalaje y entrega

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650V 120A IGBT Transistor DXG120N65GS

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Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT

Características

⚫ 650V 120A, V CE (SAT) (Typ.) = 1.8V

⚫ Habilita las capacidades de conmutación de alta velocidad

⚫ Mejora la eficiencia general del sistema

⚫ Formas de onda de apagado de corriente suave

⚫ RBSOA cuadrado

Descripción general

Los IGBT ofrecen pérdidas de energía más bajas y una mayor eficiencia energética para aplicaciones que incluyen unidades de motor, fuentes de alimentación ininterrumpidos (UPS), inversores y otros sistemas de conmutación suave.

* Tubo único IGBT (o IGBT discreto)
Un dispositivo semiconductor de potencia que empaqueta un solo chip IGBT (a menudo con un diodo de rueda libre) en una carcasa aislada. Características clave: contiene solo una unidad IGBT sin controladores internos; Requiere conductores de puerta externos, disipadores de calor y circuitos de protección; Paquetes estandarizados (por ejemplo, TO-247, TO-220) para la flexibilidad de diseño. Ampliamente utilizado en sistemas de energía de bajo a medio, como el control industrial y la electrónica de consumo, etc.