Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT
Características
650V/60A con voltaje de saturación típico (VCE (SAT)) de 2.3V a 60A
Construido en la arquitectura IGBT de parada de campo para un rendimiento mejorado
Capaz de resistir las condiciones de cortocircuito de hasta 10 μs
El área de operación segura de sesgo inverso cuadrado (RBSOA) garantiza la confiabilidad
Coeficiente de temperatura positiva en VCE (ON) para mejorar
Beneficios
Alta eficiencia para soldadura,calentamiento inductivo, UPS y otras aplicaciones de alta frecuencia
Rendimiento resistente
Excelente intercambio actual en operación paralela
*UnIGBT discreto(tubo único de transistor bipolar de puerta aislado) es undispositivo de conmutación de alimentación semiconductora empaquetado por separado,pertenece a la categoría de componentes electrónicos.Integra una estructura IGBT (típicamente con un diodo de rueda libre antiparalelo) en un solo chip, alojado en un paquete discreto estándar (p. Ej. Su función central es actuar como uninterruptor electrónico de alto voltaje, alto en corriente y alta velocidad, controlado por el voltaje de la puerta.
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