Modelo: DXG60N65HSE
Tipo De Alimentación: Fabricante original, ODM, Agencia, Detallista, otro
Materiales De Referencia: ficha de datos, Foto
Vces: 650V
IC (TC = 25 ℃): 120a
IC (TC = 100 ℃): 60A
ICM: 240a
If (tc = 100 ℃): 60A
IFM: 240a
VCE(sat)(typ.): 2.3V@60A
TJ: -55 to +150℃
Pakeage: To-247
Dispositivos discretos de semiconductores - Transistores IGBT
Características
Clasificado para 650V/60A con una típica caída de voltaje en el estado de 2.3V a 60 A de corriente de carga.
Incorpora el diseño IGBT de parada de campo para un rendimiento superior.
Proporciona una capacidad de resistencia de cortocircuito de 10 microsegundos.
Cuenta con un área de operación segura de sesgo inverso bien definido.
Coeficiente de temperatura VCE positivo (ON).
Beneficios
Alta eficiencia para soldadura, calentamiento inductivo, UPS y otras aplicaciones de alta frecuencia
Rendimiento resistente
Excelente intercambio actual en operación paralela
*Tubo único IGBT (o IGBT discreto)
Un dispositivo semiconductor de potencia que empaqueta un solo chip IGBT (a menudo con un diodo de rueda libre) en una carcasa aislada.
Características clave:
- Contiene solo una unidad IGBT sin controladores internos;
- Paquetes estandarizados (por ejemplo, TO-247, TO-220) para la flexibilidad de diseño.