650V 20A TRANSISTOR IGBT DXG20N65PS

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Atributos del producto

Modelo: DXG20N65PS

Tipo De Alimentación: ODM, Fabricante original, Agencia, Detallista, otro

Materiales De Referencia: ficha de datos, Foto

Vces: 650V

IC(TC=25℃): 40A

IC (TC = 100 ℃): 20A

ICM: 80A

If (tc = 100 ℃): 20A

IFM: 80A

VCE(sat)(typ.) = 1.70 V@20A: 1.70V@20A

TJ: -55 a +150 ℃

Pakeage: TO-220

Embalaje y entrega

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650V 20A TRANSISTOR IGBT DXG20N65PS

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Dispositivos discretos de semiconductores - Transistores IGBT

Especificaciones clave

 Calificación de 650V/20a con VCE típico (SAT) de 1.70V a 20A de corriente

 Utiliza la tecnología avanzada de parada de campo

 Admite un tiempo de soporte de cortocircuito de 10 microsegundos

 Cuenta con un área de operación segura de sesgo inverso cuadrado (RBSOA)

 Coeficiente de temperatura VCE positivo (ON).

Ventajas

 Alta eficiencia para el control del motor.

 Rendimiento resistente.

 Excelente intercambio actual en operación paralela

*Un IGBT discreto (tubo único de transistor bipolar de puerta aislado) es un dispositivo de conmutación de alimentación semiconductora empaquetado por separado, pertenece a la categoría de componentes electrónicos. Integra una estructura IGBT (típicamente con un diodo de rueda libre antiparalelo) en un solo chip, alojado en un paquete discreto estándar (p. Ej. Su función central es actuar como un interruptor electrónico de alto voltaje, alto en corriente y alta velocidad , controlado por el voltaje de la puerta.