SJ MOSFET G4.0 800V y 900V Introducción al producto

2025,03,03

El MOSFET de la superunción adopta un diseño de estructura vertical. En la región de deriva, las regiones verticales de columna de tipo P y las regiones de columna de tipo N se están dispuestas alternativamente para formar una unidad de "super unión". A través de la tecnología de compensación de carga, se rompe el dispositivo de alto voltaje del semiconductor de potencia tradicional que está limitado por el "límite de silicio". Su diseño central logra un equilibrio entre la baja resistencia y el alto voltaje de descomposición al optimizar la distribución del campo eléctrico. Además, el MOSFET de la superunción tiene una mayor resistencia en la resistencia y una distribución de carga más optimizada, por lo que su velocidad de conmutación suele ser más rápida que la de los MOSFET ordinarios, lo que ayuda a reducir las pérdidas de conmutación en el circuito. Debido a su excelente relación de rendimiento de alto voltaje y eficiencia energética, el MOSFET de superunción es más adecuado para escenarios de aplicación de alta potencia y alta potencia.

New Energy Gen.4, basado en la tecnología MOSFET de superunción original, a través de nuevas actualizaciones tecnológicas, mejora la densidad estructural del dispositivo, reduce la característica resistencia; Mejora la densidad de potencia del dispositivo y puede aumentar significativamente la capacidad actual del dispositivo en el mismo volumen. En términos de características de temperatura de la resistencia y otros aspectos, también hay mejoras significativas.

Se han lanzado los últimos productos de la serie 800V y 900V de Gen.4 Super-MOSFET (Super Junction MOSFET IV). La versión de 800V agrega una serie de productos con diodos de recuperación rápida.