MOSFET tipo trinchera de nivel N30V 1mΩ

2025,10,09

La plataforma de proceso tipo trinchera del equipo de I+D de NCE ha lanzado una serie de productos MOSFET de canal N mejorados con una tensión nominal de 30 V y una resistencia de 1 mΩ.

Superioridad del producto

Al adoptar una densidad de celda ultra alta y un diseño de ancho de línea pequeño, utilizando la exclusiva plataforma de proceso tipo zanja de NCE, combinada con el proceso optimizado de empaque de productos de corriente grande, tomando como ejemplo NCE011N30GU, la resistencia de conducción típica es tan baja como 0,75 mR, y la ID de corriente continua puede alcanzar hasta 325 A. El excelente rendimiento de los parámetros demuestra la solidez técnica de los procesos de diseño y empaquetado de chips tipo zanja. Esta serie de productos tiene una densidad de corriente ultraalta, una resistencia a roturas por avalancha ultraalta y un rendimiento de alta confiabilidad. Los dispositivos pasan el 100% de las pruebas de avalancha y tienen una robustez superior. El rendimiento del producto es sobresaliente y proporciona soluciones de productos económicas y eficientes para el mercado.

Característica del producto

○ Densidad de corriente de alta potencia

○ Resistencia ultrabaja

○ Alto rendimiento de disipación de calor

○ Alta confiabilidad

* MOSFET de potencia

*Dispositivo semiconductor

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Autor:

Mr. qinweidz

Correo electrónico:

carolyne@gisiancorp.com