MOSFET MOSFET de canal de alto voltaje LSB65R041GF

Cantidad de pedido mínima:1

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Atributos del producto

Modelo: LSB65R041GF

Tipo De Alimentación: Fabricante original, ODM, Detallista, otro, Agencia

Materiales De Referencia: Foto, ficha de datos

VDSS: 650V

ID: 78A

RDS (ON), Max: 41mΩ

Paquete De Dispositivos: To-247

Temperatura De Funcionamiento: -55 a +150 ° C

Cisma: 7647pf

Embalaje y entrega

Descripción

Lonfet TM Power Mosfet se fabrica utilizando tecnología avanzada de Super Junction . El dispositivo resultante tiene una resistencia extremadamente baja, lo que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia sobresaliente.

Características

 Ultra Low R ds (On)

 Cargo de puerta ultra baja (típ. Q g = 169nc)

 100% UIS probado

 Cumplante de ROHS

Aplicaciones

 Corrección del factor de potencia (PFC).

 Suministros de alimentación del modo conmutado (SMPS).

 Fuente de alimentación ininterrumpida (UPS).

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	78 49.3	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	234	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	1626	mJ
Power Dissipation	PD	658	W
MOSFET dv/dt Ruggedness, VDS ≤480V	dv/dt	80	V/ns
Reverse Diode dv/dt, VDS ≤480V, ISD ≤ID	dv/dt	50	V/ns
Operating and Storage Temperature Range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	78	A
Diode pulse current	IS,pulse	234	A