Potencia n de alto voltaje MOSFET LSB65R070GF

Cantidad de pedido mínima:1

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Atributos del producto

Modelo: LSB65R070GF

Tipo De Alimentación: Fabricante original, ODM, Agencia, Detallista, otro

Materiales De Referencia: Foto, ficha de datos

VDSS: 650V

ID: 49A

Cisma: 4970pf

Paquete De Dispositivos: To-247

Temperatura De Funcionamiento: -55 a +150 ° C

RDS (ON), Max: 0.18Ω

Embalaje y entrega

Descripción

Lonfet TM Power Mosfet se fabrica utilizando tecnología avanzada de Super Junction . El dispositivo resultante tiene una resistencia extremadamente baja, lo que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia sobresaliente.

Características

⚫ ultra bajo r ds (encendido)

⚫ Cargo de puerta ultra baja (típ. Q g = 95nc)

⚫ 100% UIS probado

⚫ Cumplante de ROHS

Aplicaciones

⚫ Corrección del factor de potencia (PFC).

⚫ Suministros del modo conmutado (SMPS).

⚫ Fuente de alimentación ininterrumpida (UPS).

Paquete: To-247

Características del paquete To-247: baja resistencia térmica, calificación de alta corriente , diseño mecánico robusto, compatible con autoinserción

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	49 31	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	147	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	872	mJ
Power Dissipation	PD	419	W
Operating and Storage Temperature Range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	49	A
Diode pulse current	IS,pulse	147	A