Alto voltaje N-canal potencia MOSFET LNB20N65

Cantidad de pedido mínima:1

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Atributos del producto

Modelo: LNB20N65

Tipo De Alimentación: ODM, Fabricante original, Agencia, Detallista, otro

Materiales De Referencia: Foto, ficha de datos

VDSS: 650V

ID: 20A

RDS (ON), Max: 0.5Ω

Cisma: 2962pf

Paquete De Dispositivos: To-247

Temperatura De Funcionamiento: -55 a +150 ° C

Embalaje y entrega

Descripción

El Power MOSFET se fabrica utilizando la tecnología avanzada de cepillador VDMOS. El dispositivo resultante tiene baja resistencia a la conducción, rendimiento de conmutación superior y alta energía de avalancha.

Características

 Bajo R ds (encendido)

 Cargo de baja puerta (typ. Q G = 58.3 NC)

 100% UIS probado

 Cumplante de ROHS

Aplicaciones

 Corrección del factor de potencia.

 Suministros de alimentación del modo conmutado.

 Conductor LED.

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	20 12.5	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	80	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	720	mJ
Peak diode recovery dv/dt 3)	dv/dt	5	V/ns
Power Dissipation TO-220F ( TC = 25°C ) Derate above 25°C	PD	45 0.36	W W/°C
Power Dissipation TO-247/TO-220 ( TC = 25°C ) Derate above 25°C	PD	250 2	W W/°C
Operating junction and storage temperature range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	20	A
Diode pulse current	IS,pulse	80	A