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Potencia de alto canal de voltaje MOSFET LSD55R140GF
Potencia de alto canal de voltaje MOSFET LSD55R140GF
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Potencia de alto canal de voltaje MOSFET LSD55R140GF

Cantidad de pedido mínima:1

Descripción
Atributos del producto

ModeloLSD55R140GF

Tipo De AlimentaciónFabricante original, Agencia, Detallista

Materiales De Referenciaficha de datos, Foto

VDSS550V

ID23A

RDS (ON), Max0.14Ω

Cisma1703pf

Paquete De DispositivosTO-220F

Temperatura De Funcionamiento-55 a +150 ° C

Embalaje y entrega
Mosfet de canal N
550V 23A Power MOSFET, paquete TO20F
Perfil de producto
Diseñado con tecnología avanzada de Super Junction, Lonfet ™ Power MOSFET alcanza el rendimiento de la conducción. La característica de resistencia en la resistencia de Ultralow permite ventajas críticas en los diseños densos de poder que exigen eficiencia energética máxima.
Destacados de rendimiento
◆ Pérdidas de conducción mínima (RDS (ON))
◆ Dinámica de conmutación optimizada (QG Typ. 40NC)
◆ Verificación de robustez de avalancha completa
◆ Manufactura ecológica (ROHS)
Aplicaciones
◆ Optimización del circuito PFC
◆ Topologías SMP de alta eficiencia
◆ Arquitecturas UPS de misión crítica
TO-220F
Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDSS

550

V

Continuous drain current 1)

                     ( TC  = 25°C )

( TC = 100°C )

ID

 

23

14.5

 

A

A

Pulsed drain current 2)

IDM

69

A

Gate-Source voltage

VGSS

±30

V

Avalanche energy, single pulse 3)

EAS

600

mJ

Power Dissipation

PD

34

W

Operating and Storage Temperature Range

TJ, TSTG

-55 to +150

°C

Continuous diode forward current

IS

23

A

Diode pulse current

IS,pulse

69

A

*Un MOSFET (transistor de efecto de campo-óxido de metal-semiconductor) es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje y pertenece a la categoría de componentes electrónicos, regula el flujo de corriente entre su fuente y las terminales de drenaje aplicando un voltaje al terminal de la puerta. Su estructura central consiste en una puerta de metal , una capa de óxido aislante (típicamente sio₂) y un canal semiconductor . Las características clave incluyen alta impedancia de entrada, baja potencia de accionamiento y velocidades de conmutación rápidas.
Productos
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