Alto voltaje N-canal potencia MOSFET LNA20N50W

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Atributos del producto

Modelo: LNA20N50W

Tipo De Alimentación: Fabricante original, ODM, Agencia, Detallista, otro

Materiales De Referencia: Foto, ficha de datos

VDSS: 500V

ID: 22A

RDS(on),max: 0.29Ω

Ciss: 2915pF

Device Package: TO-3P

Operating Temperature: -55 to +150°C

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Alto voltaje N-canal potencia MOSFET LNA20N50W

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Dispositivo de semiconductor de potencia

Alto voltaje N-canal potencia MOSFET LNA20N50W

Descripción

Este MOSFET de potencia utiliza la tecnología de fabricación planar VDMOS avanzada, que ofrece baja resistencia a la resistencia, una mayor eficiencia de conmutación y una alta resistencia de avalancha.

Características

◆ Ultra-Low en resistencia (RDS (ON))

◆ Cargo de baja puerta (typ. Q G = 58 NC)

◆ 100% UIS probado

◆ Cumplante de ROHS

Aplicaciones

◆ Corrección del factor de potencia

◆ Suministros de modo de cambio de interruptor de alta eficiencia (SMPS)

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	500	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	22 14	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	88	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	1201	mJ
Power Dissipation ( TC = 25°C )	PD	321	W
Operating junction and storage temperature range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	22	A
Diode pulse current	IS,pulse	88	A