Alto voltaje N-canal potencia MOSFET LND4N65

Cantidad de pedido mínima:1

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Atributos del producto

Modelo: LND4N65

Tipo De Alimentación: Fabricante original, ODM, Agencia, Detallista, otro

Materiales De Referencia: ficha de datos, Foto

VDSS: 650V

ID: 4A

RDS (ON), Max: 2.7Ω

Cisma: 550pf

Paquete De Dispositivos: TO-220F

Temperatura De Funcionamiento: -55 a +150 ° C

Embalaje y entrega

MOSFET MOSFET de alto voltaje LND4N65

Descripción general del producto

Esta potencia MOSFET se desarrolla utilizando tecnología avanzada VDMOS planar. El dispositivo diseñado ofrece baja resistencia, excelentes características de conmutación y alta capacidad de energía de avalancha.

Características clave

⚫ Bajo R ds (encendido)

⚫ carga de puerta baja (típ. Q g = 13.3nc)

⚫ Totalmente UIS (conmutación inductiva sin laminar) probada

⚫ Certificado por el cumplimiento de ROHS

Aplicaciones

⚫ Circuitos de corrección del factor de potencia (PFC)

⚫ Suministros en modo de interruptor de alta frecuencia (SMPS)

⚫ Conductores de iluminación LED

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current 1) ( TC = 25°C ) ( TC= 100°C )	ID	4 2.5	A A
Pulsed drain current 2)	IDM	16	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 3)	EAS	199	mJ
Power Dissipation	PD	27	W
Operating and Storage Temperature Range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	4	A
Diode pulse current	IS,pulse	16	A

Información de marcado y pedido de paquetes

Device	Device Package	Marking	Units/Tube
LND4N65	TO-220F	LND4N65	50