Alto voltaje N-canal potencia MOSFET LNB20N60

Cantidad de pedido mínima:1

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Atributos del producto

Modelo: LNB20N60

Tipo De Alimentación: Fabricante original, ODM, Agencia, Detallista, otro

Materiales De Referencia: ficha de datos, Foto

VDSS: 600V

ID: 20A

RDS (ON), Max: 0.45Ω

Cisma: 2960pf

Paquete De Dispositivos: To-247

Operating Temperature: -55 to +150°C

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MOSFET MOSFET de alto voltaje LNB20N60

Perfil de producto

Utilizando la arquitectura avanzada de VDMOS planar , esta potencia MOSFET ofrece un dispositivo de alto rendimiento caracterizado por RDS (ON) Ultra-Low, excelente velocidad de conmutación y capacidad de energía de avalancha robusta.

( Un VDMOS plano es un tipo de MOSFET de potencia fabricado con tecnología plana , con un flujo de corriente vertical desde el drenaje (abajo) hasta la fuente (arriba). Su característica clave es la formación de una región de canal a través de la doble difusión de dopantes (p. Ej .

Características clave

 RDS ultra-bajo (ON)

 Cargo de baja puerta (typ. Q G = 63.7 NC)

 100% probado para la resistencia de conmutación inductiva (UIS) no cerrada

 Cumplir con los estándares ambientales de ROHS

Aplicaciones

Sistemas de corrección del factor de potencia (PFC)

 Aplicaciones de la fuente de alimentación del modo conmutado (SMPS)

 Circuitos de controlador ED

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	600	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	20 12.5	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	80	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	845	mJ
Peak diode recovery dv/dt 3)	dv/dt	5	V/ns
Power Dissipation TO-220F ( TC = 25°C ) Derate above 25°C	PD	45 0.36	W W/°C
Power Dissipation TO-247/TO-220 ( TC = 25°C ) Derate above 25°C	PD	250 2	W W/°C
Operating junction and storage temperature range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	20	A
Diode pulse current	IS,pulse	80	A