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PTW90N20 200V N-canal MOSFET
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PTW90N20 200V N-canal MOSFET

PTW90N20 200V N-canal MOSFET

Cantidad de pedido mínima:1

Descripción
Atributos del producto

ModeloPTW90N20

Tipo De AlimentaciónFabricante original, ODM, Agencia, Detallista, otro

Materiales De Referenciaficha de datos, Foto

VDSS200V

ID94A

RDS (ON), Typ20mΩ

Cisma6280pf

Temperatura De Funcionamiento-55 a 150 ℃

Device PackageTO-3P

Embalaje y entrega
200V N-canal MOSFET
Power MOSFET - PTW90N20
(* Un MOSFET (transistor de efecto de campo-óxido de metal-semiconductor) es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje y pertenece a la categoría de componentes electrónicos , regula el flujo de corriente entre su fuente y terminales de drenaje aplicando un voltaje al terminal de la puerta.

Lo más destacado técnico:

  • Tecnología avanzada de procesos planos patentados

  • Baja resistencia: RDS (ON) = 20MΩ (Typ.) @ VGS = 10V

  • La carga baja de la puerta reduce las pérdidas de conmutación

  • Diodo de cuerpo de recuperación rápida (para mejorar la eficiencia)

Aplicaciones objetivo:

  • Controladores de motor DC sin escobillas (BLDC)

  • Inversores de poder

  • Convertidores DC-DC

  • Inversores de DC-AC para suministros ininterrumpidas (UPS)

  • Suministros de alimentación del modo de conmutación (SMPS) y sistemas de control de motor

PTW90N20 TO-3P
Calificaciones máximas absolutas
Symbol Parameter PTW90N20 Unit
VDSS Drain-to-Source Voltage 200 V
VGSS Gate-to-Source Voltage ±20
ID Continuous Drain Current 94 A
ID @ Tc =100 Continuous Drain Current @ Tc=100 70
IDM Pulsed Drain Current at VGS=10V 380
EAS Single Pulse Avalanche Energy 2800 mJ
dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 5.0 V/ns
PD Power Dissipation 580 W
Derating Factor above 25 3.8 W/
TL
TPAK
Maximum Temperature for Soldering
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10
seconds, Package Body for 10 seconds
              300              
260
TJ& TSTG Operating and Storage Temperature Range -55 ~150
Productos
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