MOSFET PTF24N90 de alto voltaje de 900 V MOSFET PTF24N90 para uso confiable

Cantidad de pedido mínima:1

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Atributos del producto

Modelo: PTF24N90

Tipo De Alimentación: Fabricante original, Agencia, ODM, Detallista, otro

Materiales De Referencia: Foto, ficha de datos

VDSS: 900V

ID: 24A

RDS (ON), Typ: 320mΩ

Cisma: 7500pf

Temperatura De Funcionamiento: -55 a 150 ℃

Paquete De Dispositivos: To-247

Embalaje y entrega

900V N-canal MOSFET

Potencia MOSFET - PTF24N90

Características y ventajas

Fabricado con proceso plano avanzado
RDS típico (ON) = 320 MΩ @ VGS = 10V
La carga de puerta baja minimiza las pérdidas de conmutación
Estructura resistente de la puerta de polisilicio

Casos de uso típicos

Controladores de motor BLDC
Equipo de soldadura eléctrica
SMPS de alta eficiencia (alimentación de modo conmutado)

Absoluto Máximo Calificaciones

Symbol	Parameter	Maximum Rating	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	900	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
ID	Continuous Drain Current	24	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc=100℃	15
IDM	Pulsed Drain Current at VGS=10V[2,4]	96
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	3200	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	660	W
PD	Derating Factor above 25℃	5.26	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

Nota:

[1] TJ = +25 ℃ a +150 ℃.

[2] Silicon Limited Current solamente.

[3] Paquete Corriente limitada.

* Un MOSFET (transistor de efecto de campo-óxido de metal-semiconductor) es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje y pertenece a la categoría de componentes electrónicos , regula el flujo de corriente entre su fuente y las terminales de drenaje aplicando un voltaje al terminal de la puerta. Su estructura central consiste en una puerta de metal , una capa de óxido aislante (típicamente sio₂) y un canal semiconductor . Las características clave incluyen alta impedancia de entrada, baja potencia de accionamiento y velocidades de conmutación rápidas.