Name: 1500V N-CH High Planar MOSFET PTH03N150
Uploaded: 2025-06-11T10:33:23+08:00
Description: 1500V N-CH High Planar MOSFET Potencia MOSFET - PTH03N150 Características generales  Cumplante de ROHS  r ds

1500V N-CH High Planar MOSFET PTH03N150

Cantidad de pedido mínima:1

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Atributos del producto

Modelo: PTH03N150

Tipo De Alimentación: Fabricante original, ODM, Agencia, Detallista, otro

Materiales De Referencia: ficha de datos, Foto

VDSS: 1500V

ID: 3A

RDS(ON),typ: 5.4Ω

Ciss: 1600pF

Temperatura De Funcionamiento: -55 a 150 ℃

Paquete De Dispositivos: A 3pf

Embalaje y entrega

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1500V N-CH High Planar MOSFET PTH03N150

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1500V N-CH High Planar MOSFET

Potencia MOSFET - PTH03N150

Características generales

 Cumplante de ROHS

 r ds (encendido), típ. = 5.4 Ω@v gs = 10V

 La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación

 Diodo de cuerpo de recuperación rápida

Aplicaciones

 Adaptador

 Cargador

 SMPS PODER en espera

Máximo absoluto Calificaciones

Symbol	Parameter	PTH03N150	PTA03N150	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	1500		V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30		V
ID	Continuous Drain Current	3		A
IDM	Pulsed Drain Current at VGS= 10V	12		A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy,L=30mH	500		mJ
PD	Power Dissipation	90	35	W
PD	Derating Factor above 25℃	0.72	0.28	W/℃
TL	Soldering Temperature Distance of 1.6mm from case for 10 seconds	300		℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150		℃

* El MOSFET , un transistor de efecto de campo-óxido de metal-óxido-semiconductor, se clasifica como un dispositivo semiconductor controlado por voltaje dentro de la categoría más amplia de componentes electrónicos, regula el flujo de corriente entre su fuente y los terminales de drenaje aplicando un voltaje al terminal de la puerta.