600V N-canal MOSFET PTW26N60

Cantidad de pedido mínima:1

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Atributos del producto

Modelo: PTW26N60

Tipo De Alimentación: Fabricante original, Agencia, Detallista, otro, ODM

Materiales De Referencia: ficha de datos, Foto

VDSS: 600V

ID: 26A

RDS (ON), Typ: 250mΩ

Cisma: 4.28pf

Temperatura De Funcionamiento: -55 a 150 ℃

Device Package: TO-3P

Embalaje y entrega

600V N-canal MOSFET

Potencia MOSFET --600V 26A PTW26N60

Aplicaciones

 Controlador de motor BLDC

 soldador eléctrico

 SMPS de alta eficiencia

Características generales

 Proceso plano avanzado

 RDS (ON), TYP. = 250 MΩ@VGS = 10V

 La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación

 Estructura resistente de compuerta de silicio poly silicio

Características generales

 Proceso plano avanzado

 RDS (ON), TYP. = 250 MΩ@VGS = 10V

 La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación

 Estructura resistente de compuerta de silicio poly silicio

Máximo absoluto Calificaciones

Symbol	Parameter	PTW26N60	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	600	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
ID	Continuous Drain Current	26	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc= 100℃	17
IDM	Pulsed Drain Current at VGS= 10V[2,4]	104
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	1500	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	264	W
PD	Derating Factor above 25℃	2.11	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in ( 1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

* Un MOSFET (transistor de efecto de campo-óxido de metal-semiconductor) es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje y pertenece a la categoría de componentes electrónicos , regula el flujo de corriente entre su fuente y las terminales de drenaje aplicando un voltaje al terminal de la puerta. Su estructura central consiste en una puerta de metal , una capa de óxido aislante (típicamente sio₂) y un canal semiconductor . Las características clave incluyen alta impedancia de entrada, baja potencia de accionamiento y velocidades de conmutación rápidas.