Alto voltaje 500V N-canal MOSFET PTW30N50EL

Cantidad de pedido mínima:1

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Atributos del producto

Modelo: PTW30N50EL

Tipo De Alimentación: Fabricante original, ODM, Agencia, Detallista, otro

Materiales De Referencia: ficha de datos, Foto

VDSS: 500V

ID: 30A

RDS (ON), Typ: 150mΩ

Cisma: 4150pf

Temperatura De Funcionamiento: -55 a 150 ℃

Device Package: TO-3P

Embalaje y entrega

500V N-canal MOSFET

Power MOSFET - 500V 30A / PTW30N50EL

Características generales

 Proceso plano avanzado

 r ds (encendido), típ. = 150mΩ@v gs = 10V

 La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación

 Estructura resistente de compuerta de silicio poly silicio

Aplicaciones objetivo

 Sistemas de accionamiento de motor DC (BLDC) sin escobillas

 Equipo de soldadura

 Suministros de alimentación del modo de interruptor de alta eficiencia

Paquete: TO-3P es un tipo de paquete estándar para transistores de alta potencia, con una encapsulación de plástico con un disipador de calor de metal integrado, tres cables y montaje en agujeros.

Máximo absoluto Calificaciones

Symbol	Parameter	PTW30N50EL	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	500	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
ID	Continuous Drain Current	30	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc=100℃	18
IDM	Pulsed Drain Current at VGS=10V[2,4]	120
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	2000	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	333	W
PD	Derating Factor above 25℃	2.63	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

Un MOSFET (transistor de efecto de campo-óxido de metal-semiconductor) es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje y pertenece a la categoría de componentes electrónicos, regula el flujo de corriente entre su fuente y los terminales de drenaje mediante la aplicación de un voltaje al terminal de la puerta.