250V N-canal MOSFET PTW50N25

Cantidad de pedido mínima:1

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Atributos del producto

Modelo: PTW50N25

Tipo De Alimentación: Fabricante original, ODM, Agencia, Detallista, otro

Materiales De Referencia: Foto, ficha de datos

VDSS: 250V

ID: 50A

RDS (ON), Typ: 45mΩ

Cisma: 3560pf

Temperatura De Funcionamiento: -55 a 150 ℃

Device Package: TO-3P

Embalaje y entrega

Mosfet de canal N

Potencia MOSFET 250V 50A PTW50N25

Características generales

 Tecnología plana nueva patentada

 r ds (encendido), típ. = 45mΩ@v gs = 10V

 La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación

 Diodo de cuerpo de recuperación rápida

Aplicaciones

 Convertidores de potencia DC-DC

 inversores DC-AC para la fuente de alimentación ininterrumpida (UPS)

 Suministros en modo de interruptor (SMPS) y unidades de motor

Máximo absoluto Calificaciones

Symbol	Parameter	Rating	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage[ 1]	250	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±20	V
ID	Continuous Drain Current	50	A
ID @ Tc =100℃	Continuous Drain Current @ Tc= 100℃	25
IDM	Pulsed Drain Current at VGS= 10V[2]	200
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	1250	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	278	W
PD	Derating Factor above 25℃	1.0	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in ( 1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

Nota:

[1] t j = +25 ℃ a +150 ℃

[2] Calificación repetitiva; Ancho de pulso limitado por la temperatura de unión máxima.

[3] I SD = 20A DI/DT <100 A/μS, V DD <BV DSS , T J =+150 ℃ .

[4] Ancho de pulso ≤380 µs; ciclo de servicio ≤2%.

*El MOSFET , un transistor de efecto de campo-óxido de metal-óxido-semiconductor, se clasifica como un dispositivo semiconductor controlado por voltaje dentro de la categoría más amplia de componentes electrónicos, regula el flujo de corriente entre su fuente y los terminales de drenaje aplicando un voltaje al terminal de la puerta.