Cantidad de pedido mínima:1
Modelo: PTW50N30
Tipo De Alimentación: Fabricante original, ODM, Agencia, Detallista, otro
Materiales De Referencia: Foto, ficha de datos
VDSS: 300V
ID: 50A
RDS (ON), Typ: 68mΩ
Cisma: 3537pf
Temperatura De Funcionamiento: -55 a 150 ℃
Device Package: TO-3P
Máximo absoluto Calificaciones
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Symbol |
Parameter |
PTW50N30 |
Unit |
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VDSS |
Drain-to-Source Voltage[ 1] |
300 |
V |
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VGSS |
Gate-to-Source Voltage |
±20 |
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ID |
Continuous Drain Current |
50 |
A |
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ID @ Tc =100℃ |
Continuous Drain Current @ Tc= 100℃ |
31 |
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IDM |
Pulsed Drain Current at VGS= 10V[2] |
200 |
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EAS |
Single Pulse Avalanche Energy |
3044 |
mJ |
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dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt[3] |
5.0 |
V/ns |
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PD |
Power Dissipation |
305 |
W |
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Derating Factor above 25℃ |
2.50 |
W/℃ |
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TL TPAK |
Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in ( 1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds |
300 260 |
℃ |
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TJ& TSTG |
Operating and Storage Temperature Range |
-55 to 150 |
* El MOSFET , un transistor de efecto de campo-óxido de metal-óxido-semiconductor, se clasifica como un dispositivo semiconductor controlado por voltaje dentro de la categoría más amplia de componentes electrónicos, regula el flujo de corriente entre su fuente y los terminales de drenaje aplicando un voltaje al terminal de la puerta. Los MOSFET se utilizan ampliamente en la electrónica moderna, incluida la gestión de energía, la amplificación y conmutación de energía, etc.
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