Name: 300V n canal MOSFET PTW69N30B
Uploaded: 2025-06-11T10:24:24+08:00
Description: 300V N-canal MOSFET Power MOSFET para SMPS - PTW69N30B Características generales  Proceso plano avanzado  r ds

MOSFET MOSFET de alto voltaje PTW69N30B

Cantidad de pedido mínima:1

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Atributos del producto

Modelo: PTW69N30B

Tipo De Alimentación: Fabricante original, ODM, Agencia, Detallista, otro

Materiales De Referencia: ficha de datos, Foto

VDSS: 300V

ID: 69A

RDS (ON), Typ: 40mΩ

Cisma: 5790pf

Temperatura De Funcionamiento: -55 a 150 ℃

Device Package: TO-3P

Embalaje y entrega

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300V n canal MOSFET PTW69N30B

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300V N-canal MOSFET

Power MOSFET para SMPS - PTW69N30B

Características generales

 Proceso plano avanzado

 r ds (encendido), típ. = 40 mΩ@v gs = 10V

 La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación

 Estructura resistente de compuerta de silicio poly silicio

Aplicaciones

 Controlador de motor BLDC

 soldador eléctrico

 SMPS de alta eficiencia

Máximo absoluto Calificaciones

Symbol	Parameter	PTW69N30B	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	300	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
ID	Continuous Drain Current	69	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc= 100℃	42
IDM	Pulsed Drain Current at VGS= 10V[2,4]	276
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	4494	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	520	W
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in ( 1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

* El MOSFET , un transistor de efecto de campo-óxido de metal-óxido-semiconductor, se clasifica como un dispositivo semiconductor controlado por voltaje dentro de la categoría más amplia de componentes electrónicos, regula el flujo de corriente entre su fuente y los terminales de drenaje aplicando un voltaje al terminal de la puerta. Los MOSFET se usan ampliamente en la electrónica moderna.