Name: 200V N-canal MOSFET SPTF20R10
Uploaded: 2025-06-11T10:21:00+08:00
Description: 200V N-canal MOSFET Potencia MOSFET - SPTF20R10 Características generales  Tecnología de trinchera nueva patentada

200V N-canal MOSFET SPTF20R10

Cantidad de pedido mínima:1

Atributos del producto
Embalaje y entrega
Other information

Atributos del producto

Modelo: SPTF20R10

Tipo De Alimentación: ODM, Fabricante original, Agencia, Detallista, otro

Materiales De Referencia: Foto, ficha de datos

VDSS: 200V

ID: 110A

RDS(ON),typ: 9.3mΩ

Ciss: 10656pF

Temperatura De Funcionamiento: -55 a 150 ℃

Paquete De Dispositivos: To-247

Embalaje y entrega

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200V N-canal MOSFET SPTF20R10

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200V N-canal MOSFET

Potencia MOSFET - SPTF20R10

Características generales

 Tecnología de trinchera nueva patentada

 r ds (encendido), típ. =9.3mΩ@v gs = 10v

 La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación

 Diodo de cuerpo de recuperación rápida

Aplicaciones

 convertidor DC/DC

 Ideal para conmutación y rectificación sincrónica de alta frecuencia

Absoluto Máximo Calificaciones

Symbol	Parameter	Limit	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage[1]	200	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±20	V
ID	Continuous Drain Current	110	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc=100℃	75
IDM	Pulsed Drain Current at VGS=10V[2]	440
EAS	Single Pulse Avalanche Energy L=10mH	2000	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	278	W
PD	Derating Factor above 25℃	2.22	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

UnMOSFET (transistor de efecto de campo-óxido de metal-semiconductor) es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje y pertenece a la categoría de componentes electrónicos, regula el flujo de corriente entre su fuente y los terminales de drenaje mediante la aplicación de un voltaje al terminal de la puerta.