Se informa que esta vez, se ha desarrollado una computadora complementaria de semiconductor de óxido de metal (CMOS). A diferencia de antes, el silicio no se usó esta vez. En cambio, se emplearon dos materiales bidimensionales: disulfuro de molibdeno para transistores de tipo N y deselenuro de tungsteno para transistores de tipo P. El grosor de estos materiales es solo un átomo, pero aún mantienen un excelente rendimiento electrónico a una escala microscópica, lo cual es una ventaja que el silicio no posee.
El equipo empleó la técnica de deposición de vapor químico de metal-orgánico (MOCVD) para cultivar películas de disulfuro de molibdeno y tungsteno de gran área, y fabricadas más de 1000 transistores de tipo N y tipo P respectivamente. Al ajustar con precisión el proceso de fabricación y los pasos de tratamiento posteriores, el equipo controló con éxito los voltajes umbral de los transistores de tipo N y tipo P, construyendo así un circuito lógico CMOS completamente funcional.
Esta computadora CMOS bidimensional se denomina "computadora de conjunto de instrucciones individuales" y puede funcionar a voltajes de baja potencia con un consumo de energía extremadamente bajo, y puede realizar operaciones lógicas simples a una frecuencia de hasta 25 kilohertz. Aunque la frecuencia de trabajo actual es menor que la de los circuitos CMOS tradicionales basados en silicio, esta computadora aún puede completar las tareas informáticas básicas. El equipo también desarrolló un modelo de computación, utilizando datos experimentales para la calibración y combinando las diferencias entre los dispositivos para predecir el rendimiento de la computadora CMOS bidimensional y compararlo con la tecnología de silicio más avanzada a través de pruebas de referencia.
El equipo declaró que aunque todavía hay espacio para una mayor optimización, este es un hito importante en la aplicación de materiales bidimensionales en el campo de la electrónica. Este logro de investigación no solo proporciona una nueva opción de material para la próxima generación de dispositivos electrónicos, sino que también abre una nueva dirección para el diseño futuro de chips.
