Nuevo producto | CRMICRO lanza productos GaN bidireccionales de modo E de bajo voltaje, que permiten una protección de carga rápida para productos terminales electrónicos de consumo

2026,01,28

Los dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN) presentan una menor resistencia de encendido y una velocidad de conmutación más rápida, lo que puede reducir significativamente las pérdidas de conmutación, mejorando así la eficiencia del sistema, reduciendo el tamaño de los componentes magnéticos y mejorando la confiabilidad del sistema. Como resultado, son cada vez más populares en el mercado. Los dispositivos GaN fueron los primeros en lograr una aplicación a gran escala en el campo de la carga rápida en electrónica de consumo, y luego penetraron gradualmente en escenarios de alta densidad de potencia, cubriendo áreas como fuentes de alimentación de centros de datos, inversores fotovoltaicos, OBC (cargador a bordo) para vehículos de nueva energía, detección inteligente, convertidores AC-DC y DC-DC, etc. Han demostrado importantes ventajas de rendimiento a nivel de sistema en varios escenarios de aplicación.

Con el avance de la producción a gran escala y la madurez de la cadena de suministro, el costo de los dispositivos GaN ha seguido disminuyendo, reduciendo la brecha con los dispositivos basados en silicio. Además, debido a la característica de conducción bidireccional de los dispositivos GaN, aportan ventajas de costes sistemáticas en aplicaciones como la carga rápida de teléfonos móviles y OVP (protección contra sobretensiones). En este contexto, Wuhuan Microelectronics, basándose en la plataforma madura de proceso GaN de 8 pulgadas y con la garantía de recursos completos de la cadena industrial, ha desarrollado los productos OVP (protección contra sobretensión) bidireccional de 40 V CRNCW048B040AZ/CRNCW048B040BZ. Estos dos productos están diseñados específicamente para proporcionar una mayor velocidad de respuesta y soluciones de protección de carga de menor consumo de energía para escenarios sensibles al estrés de voltaje, como la carga rápida de teléfonos móviles y dispositivos portátiles.

Forma del embalaje del producto.

Descripción general del producto

Tamaño pequeño, alta confiabilidad, bajo costo. Trinity mejora la resistencia del producto

CRNCW048B040AZ/CRNCW048B040BZ son dos transistores GaN mejorados de 40 V que admiten conducción bidireccional. Los productos adoptan un empaque avanzado WLCSP, con un tamaño mínimo de empaque de solo 2,1 mm * 2,1 mm. Presentan un área de empaque extremadamente pequeña y bajos parámetros parásitos. La resistencia de funcionamiento típica de los dispositivos es de solo 4 mΩ (a VGD = 5 V), con FOM ≤ 17,6 mΩ.mm². El valor FOM más bajo puede garantizar que las características eléctricas del dispositivo cumplan con los requisitos y, al mismo tiempo, proporcione una tasa de extracción de núcleo más alta, mejorando así la rentabilidad del producto. En resumen, el producto GaN bidireccional de modo E de bajo voltaje de 40 V PDBG, con sus principales ventajas de "tamaño pequeño, alta confiabilidad y bajo costo", garantiza el funcionamiento estable a largo plazo del sistema y ayuda a los clientes a lograr una mejora integral en la resistencia del producto.

Estricta evaluación y certificación para garantizar la calidad de los productos a enviar.

CRNCW048B040AZ/CRNCW048B040BZ han sido estrictamente evaluados y certificados de acuerdo con los estándares JEDEC/JESD47, lo que garantiza que los productos puedan funcionar de manera estable durante mucho tiempo en condiciones duras, como altas temperaturas y alta humedad.

Adoptar el modelo IDM para construir un sistema de cadena de suministro seguro y confiable

Basándose en las ventajas únicas del modelo de negocio IDM, PDBG ha logrado una producción independiente de toda la cadena, desde la preparación de materiales extrínsecos, el diseño y la fabricación de obleas hasta el embalaje y las pruebas, y puede proporcionar a los clientes un suministro estable y a largo plazo de productos.

Especificación de producto

Escenario de aplicación típico: carga rápida para teléfonos móviles

CRNCW048B040AZ/CRNCW048B040BZ presenta características de conducción bidireccional. Un solo producto puede lograr la función de protección de carga OVP en el circuito de carga del teléfono móvil, reemplazando con éxito los dos MOSFET conectados consecutivamente en la solución tradicional. Al utilizar el producto GaN bidireccional de modo E de bajo voltaje PDBG de 40 V, el área de ocupación de PCB se puede reducir significativamente, se puede reducir el costo del sistema y se puede mejorar la estabilidad de carga del sistema. Esto demuestra sólidas capacidades de optimización de soluciones y alta rentabilidad en escenarios de "espacio compacto, eficiencia prioritaria", y se espera que se convierta en la tendencia de aplicación principal en el futuro.

Reducción de tamaño: reduce la cantidad de dispositivos de energía en un 50%, reduce significativamente el área ocupada de PCB, libera más espacio para el "precioso" diseño del espacio interno de los teléfonos móviles y es adecuado para la tendencia de cuerpos más delgados y livianos.

Reducción de costes: Al reducir el número de componentes y simplificar el diseño del circuito de conducción, se ha conseguido una doble optimización tanto de los costes de hardware como de diseño. Esta se está convirtiendo en la dirección preferida para las soluciones de carga rápida de próxima generación de los principales fabricantes de teléfonos móviles.

Lista de productos

En el subcampo OVP bidireccional de 40 V, en comparación con productos de la misma especificación en la industria, CRNCW048B040AZ/CRNCW048B040BZ presenta un Ron más bajo, una mayor competitividad de costos y una garantía de calidad más estable y confiable, lo que ayuda a los clientes a reducir los costos de hardware y mejorar el rendimiento de los costos del producto.

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Autor:

Mr. qinweidz

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