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650V 10A N-canal Transistores de potencia LND10N65

650V, 10a Potencia de canal N MOSFET Descripción​ El Fuerza Mosfet es fabricado usando el avanzado plano VDMOS tecnología . El dispositivo resultante tiene baja conducción resistencia , conmutación superior actuación y alto avalancha energía ....

N-canal 650V 11A Potencia MOSFET LSD65R380GT

Descripción Lonfet TM Power Mosfet se fabrica utilizando tecnología avanzada de Super Junction . El dispositivo resultante tiene una resistencia extremadamente baja, lo que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad...

BIP60015G-A 600V 15A Módulo de potencia inteligente

Descripción general BIP60015G-A es un módulo de potencia inteligente avanzado que ha desarrollado y diseñado recientemente, para proporcionar un rendimiento muy compacto y de alto rendimiento, ya que los conductores de motor de CA se dirigen...

Potencia de alto canal de alto voltaje MOSFET LSD65R180GF

Descripción Este poder MOSFET emplea tecnología avanzada de Super Junction en su construcción. El dispositivo de ingeniería ofrece una resistencia mínima en la resistencia, por lo que es ideal para aplicaciones que exigen una densidad de potencia...

650V 40A IGBT Transistor DXG40N65HSEK

650V 40A Tubo único IGBT DXG40N65HSEK Características  650V 40A, V CE (SAT) (Typ.) = 1.70 V@40a  Field Stop Technology IGBT.  Capacidad de cortocircuito de 10 μs.  RBSOA cuadrado.  Coeficiente de temperatura VCE positivo (ON). Beneficios ...

Diodos epitaxiales de recuperación rápida de alto rendimiento HUR30120

Diodos de recuperación rápida HUR30120 - Comportamiento de recuperación blanda de alto rendimiento Rango de temperatura amplia Diodos epitaxiales de recuperación ultra rápida CARACTERÍSTICAS * Cumple con los estándares internacionales de envasado *...

IGBT eficiente para aplicaciones UPS DXG40N65AsWU

Tubo único IGBT (o IGBT discreto ): un solo chip IGBT empaquetado en una vivienda aislada. 650V/40A IGBT DXG40N65Aswu Características  650V 40A, VCE (SAT) (Typ.) = 2.3 V@40a  Field Stop Technology IGBT.  Capacidad de cortocircuito de 10 μs. ...

Potencia n de alto voltaje MOSFET LSB65R070GF

Descripción Lonfet TM Power Mosfet se fabrica utilizando tecnología avanzada de Super Junction . El dispositivo resultante tiene una resistencia extremadamente baja, lo que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad...

Alto rendimiento N-canal 650V 20A potencia MOSFET LSD65R180GT

Descripción Power MOSFET se fabrica utilizando la tecnología avanzada de Super Junction . El dispositivo resultante tiene una resistencia extremadamente baja, lo que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de...

450V 220UF condensadores electrolíticos de aluminio

Condensadores electrolíticos de aluminio Es un condensador electrolítico polarizado cuyo ánodo (+) consiste en una lámina de aluminio grabado con una capa de al₂o₃ anodizada como dieléctrica. El cátodo (-) está formado por un electrolito conductivo...

150W Minl Super Energy Storage Fuente de alimentación

El inversor portátil de baja potencia 150W es una solución compacta y eficiente para convertir la corriente continua en corriente alterna, lo que lo hace ideal para varias necesidades de energía portátil. Este inversor de energía portátil 150W está...

600V 30A Recuperación rápida Diodo epitaxial hur3060

Diodos de recuperación rápida CARACTERÍSTICAS * Paquete estándar internacional * Chips pasivados de vidrio * Tiempo de recuperación muy corto * Pérdidas de conmutación extremadamente bajas * Valores IRM bajos * Comportamiento de recuperación suave *...

Diodo de recuperación rápida de 600V MUR3060PT para limpiadores ultrasónicos

Diodos de recuperación rápida CARACTERÍSTICAS * Paquete estándar internacional, JEDEC TO-247AD * Chips pasivados de vidrio * Tiempo de recuperación muy corto * Pérdidas de conmutación extremadamente bajas * Valores IRM bajos * Comportamiento de...

Alto voltaje N-canal potencia MOSFET LNB20N65

Descripción El Power MOSFET se fabrica utilizando la tecnología avanzada de cepillador VDMOS. El dispositivo resultante tiene baja resistencia a la conducción, rendimiento de conmutación superior y alta energía de avalancha. Características  Bajo R...

MOSFET MOSFET de canal de alto voltaje LSB65R041GF

Descripción Lonfet TM Power Mosfet se fabrica utilizando tecnología avanzada de Super Junction . El dispositivo resultante tiene una resistencia extremadamente baja, lo que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad...