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Model No:NCE30TD60B
Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Descripción general Empleando la arquitectura de trinchera patentada de NCE y la tecnología avanzada de parada de campo de segunda generación (FS II), la trinchera de 600V FS II IGBT ofrece...
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Model No:DXG20N65PS
Dispositivos discretos de semiconductores - Transistores IGBT Especificaciones clave Calificación de 650V/20a con VCE típico (SAT) de 1.70V a 20A de corriente Utiliza la tecnología avanzada de parada de campo Admite un tiempo de soporte de...
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Model No:DXG60N65HSE
Dispositivos discretos de semiconductores - Transistores IGBT Características Clasificado para 650V/60A con una típica caída de voltaje en el estado de 2.3V a 60 A de corriente de carga. Incorpora el diseño IGBT de parada de campo para un...
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Model No:DXG60N65HSEU
Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Características 650V/60A con voltaje de saturación típico (VCE (SAT)) de 2.3V a 60A Construido en la arquitectura IGBT de parada de campo para un rendimiento mejorado Capaz de...
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Model No:DXG120N65GS
Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Características ⚫ 650V 120A, V CE (SAT) (Typ.) = 1.8V ⚫ Habilita las capacidades de conmutación de alta velocidad ⚫ Mejora la eficiencia general del sistema ⚫ Formas de onda de apagado de...
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Model No:DXG40S120H
Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Características 1200V, 40A, V CE (SAT) (Typ. =) 1.9V@V GE = 15V Mayor eficiencia del sistema Formas de onda de apagado de corriente suave RBSOA cuadrado Descripción general Estos...
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Model No:DXG15S120H
Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Características 1200V15A, V CE (SAT) (Typ.) = 1.9 V@15a Tecnología SPT ( Punch Soft a través) Pérdidas más bajas Una mayor eficiencia del sistema Excelente capacidad de...
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Model No:DXG25N120H
Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Características 1200V, 25A, V CE (SAT) (Typ.) = 2.3 V@V GE = 15V Cambio de alta velocidad Mayor eficiencia del sistema Formas de onda de apagado de corriente suave RBSOA cuadrado...
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Model No:DXG15N120H
Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Características Calificación de 1200V/15A : presenta un típico voltaje de saturación (VCE (SAT)) de 2.3V a 15a Eficiencia optimizada del sistema : ofrece un mejor rendimiento de...
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Model No:NCE15TD60BD
Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT 600V 15A Trench FS II Fast IGBT NCE15TD60BD Descripción general Aprovechando la arquitectura de trinchera patentada de NCE y la tecnología de parada de campo de segunda generación (FS), la...
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Model No:NCE30TH60BPN
Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Descripción general: Diseñado con la arquitectura de parada de campo de puerta de estreno (TFS) de NCE y la tecnología de parada de campo de segunda generación (FS II), la serie IGBT FS II...
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Model No:NCE15TD60BF
Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Descripción general Aprovechando la arquitectura patentada de la red de zanja de NCE y la tecnología de parada de campo de próxima generación (FS II), la trinchera de 600V FS II IGBT ofrece...
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Model No:NCE25TD120BT
Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT 1200V 25A Trench FS II Fast IGBT NCE25TD120BT Descripción general: Utilizando el diseño de trincheras patentado de NCE y la tecnología avanzada de segunda generación de FS (Campo), la...
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Model No:NCE40ER65BP
Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Descripción general Aprovechando la arquitectura de parada de campo de trincheras de NCE III (TFS III) y la tecnología avanzada de parada de campo, la trinchera FS III IGBT de 650V ofrece...
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Model No:DXG20N65FS
Tubo único IGBT de 650V para control industrial Características 650V 20A, V CE (SAT) (Typ.) = 1.70 V@20a Field Stop Technology IGBT. Capacidad de cortocircuito de 10 μs. RBSOA cuadrado. Coeficiente de temperatura VCE positivo (ON)....
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Model No:DXG30N65HSEK
650V 30A, paquete TO47 Tubo único IGBT Características 650V 30A, VCE (SAT) (Typ.) =1.7v@30a Field Stop Technology IGBT. Capacidad de cortocircuito de 10 μs. RBSOA cuadrado. Coeficiente de temperatura VCE positivo (ON). Beneficios Alta...
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Model No:DXG40N65HSEK
650V 40A Tubo único IGBT DXG40N65HSEK Características 650V 40A, V CE (SAT) (Typ.) = 1.70 V@40a Field Stop Technology IGBT. Capacidad de cortocircuito de 10 μs. RBSOA cuadrado. Coeficiente de temperatura VCE positivo (ON). Beneficios ...
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Model No:DXG40N65ASWU
Tubo único IGBT (o IGBT discreto ): un solo chip IGBT empaquetado en una vivienda aislada. 650V/40A IGBT DXG40N65Aswu Características 650V 40A, VCE (SAT) (Typ.) = 2.3 V@40a Field Stop Technology IGBT. Capacidad de cortocircuito de 10 μs. ...
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