Todos los productos

200V N-canal MOSFET SPTF20R10

200V N-canal MOSFET Potencia MOSFET - SPTF20R10 Características generales  Tecnología de trinchera nueva patentada  r ds (encendido), típ. =9.3mΩ@v gs = 10v  La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación  Diodo de cuerpo de...

Alto voltaje 500V N-canal MOSFET PTW30N50EL

500V N-canal MOSFET Power MOSFET - 500V 30A / PTW30N50EL Características generales  Proceso plano avanzado  r ds (encendido), típ. = 150mΩ@v gs = 10V  La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación  Estructura resistente de...

600V 15A Trench FS II Fast IGBT NCE15TD60BD

Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT 600V 15A Trench FS II Fast IGBT NCE15TD60BD Descripción general Aprovechando la arquitectura de trinchera patentada de NCE y la tecnología de parada de campo de segunda generación (FS), la...

NCE30TH60BPN 600V 30A Trench FS II Fast IGBT

Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Descripción general: Diseñado con la arquitectura de parada de campo de puerta de estreno (TFS) de NCE y la tecnología de parada de campo de segunda generación (FS II), la serie IGBT FS II...

600V 15A Tubo único IGBT NCE15TD60BF

Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Descripción general Aprovechando la arquitectura patentada de la red de zanja de NCE y la tecnología de parada de campo de próxima generación (FS II), la trinchera de 600V FS II IGBT ofrece...

1200V 25A Trench FS II Fast IGBT NCE25TD120BT

Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT 1200V 25A Trench FS II Fast IGBT NCE25TD120BT Descripción general: Utilizando el diseño de trincheras patentado de NCE y la tecnología avanzada de segunda generación de FS (Campo), la...

NCE40ER65BP 650V 40A Trench FS III IGBT

Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Descripción general Aprovechando la arquitectura de parada de campo de trincheras de NCE III (TFS III) y la tecnología avanzada de parada de campo, la trinchera FS III IGBT de 650V ofrece...

Qinwei High Performance 600V Recuperación rápida Diodo MUR3060PT

Dispositivos discretos de semiconductores Diodo de recuperación rápida de 30a 600V - MUR3060PT Características * Corriente de fuga inversa inferior * Bajo consumo de energía, alta eficiencia * Alta fiabilidad * Producto compatible con ROHS...

N-canal 650V 7A POWER MOSFET LND7N65D

Dispositivos discretos de semiconductores 650V 7A N-Canal Power MOSFET Lnd7n65d Resumen de productos VDSS: 650V ID: 7a RDS (ON), MAX: 1.4Ω QG, típico: 23.5nc Descripción El Power MOSFET se fabrica utilizando la tecnología Avanzada Planar VDMOS . El...

Qinwei confiable 600V 60A Diodo de recuperación rápida MUR6060PT

Dispositivos discretos de semiconductores Diodo de recuperación rápida 60A 600V Características * Corriente de fuga inversa inferior * Bajo consumo de energía, alta eficiencia * Alta fiabilidad * Producto compatible con ROHS Aplicaciones * Circuito...

Fuente de alimentación de almacenamiento Super Energy de 100W

Inversor portátil de baja potencia: una solución de potencia compacta y eficiente para la vida El inversor portátil es un dispositivo de vanguardia y ahorro de espacio diseñado para ofrecer una potencia constante y confiable donde quiera que vaya....

200W Mini Suministros de alimentación de almacenamiento de Super Energy

El inversor de baja potencia portátil 200W es una solución de potencia compacta y eficiente diseñada para personas que necesitan energía confiable sobre la marcha. Este producto presenta una salida de AC 220V de onda sinusoidal pura con una potencia...

Qinwei Diodos de recuperación rápida MUR1560BF 600V 15A

Dispositivos de semiconductores ( dispositivos discretos ) 600V 15A Diodo de recuperación rápida: un diodo semiconductor específicamente optimizado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia Características * Corriente de fuga inversa...

Qinwei eficiente 600V 10A Diodo de recuperación rápida MUR1060BF

Dispositivos de semiconductores ( dispositivos discretos ) Diodo de recuperación rápida de 10a 600V Características * Corriente de fuga inversa inferior* Bajo consumo de energía, alta eficiencia* Tiempo de recuperación inversa ultra corta *...

Qinwei 600V 8A Diodos de recuperación rápida MUR0860BF

Dispositivos de semiconductores ( dispositivos discretos ) 600V 8A Diodo de recuperación rápida Características * Corriente de fuga inversa inferior * Bajo consumo de energía, alta eficiencia * Capacidad de voltaje inversa alta * Ruido de bajo...

Qinwei MUR2060C Diodo de recuperación rápida con 600V 20A

Dispositivos de semiconductores: dispositivos discretos 600V 20A Diodo de recuperación rápida Características * Corriente de fuga inversa inferior * Bajo consumo de energía, alta eficiencia * Tiempo de recuperación inversa ultra corta * Alta...

Qinwei 600V 30A MUR3060P Diodo de recuperación rápida

Dispositivos semiconductores Diodo de recuperación súper rápido Características * Corriente de fuga inversa inferior * Bajo consumo de energía, alta eficiencia * Alta fiabilidad * Producto compatible con ROHS Aplicaciones * Corrector de factor de...

LEGM400CU120L7S 1200V 400A Módulo de potencia IGBT

Módulo de potencia IGBT Módulo IGBT 400A 1200V - LEGM400CU120L7S Características: • V CE = 1200V I C = 400A • Bajo V CE (SAT) • V CESAT con coeficiente de temperatura positiva • Temperatura máxima de unión 150 ℃ • Paquete de tipo de aislamiento...

LEGM200BH120L2H 1200V Módulo de potencia IGBT

200a 1200V Módulo IGBT-LEGM200BH120L2H Características • V CE = 1200V I C = 200a • Bajo V CE (SAT) • V CESAT con coeficiente de temperatura positiva • Temperatura máxima de unión 150 ℃ • Paquete de tipo de aislamiento Aplicaciones Energía renovable...

Alto voltaje N-canal potencia MOSFET LNA20N50W

Dispositivo de semiconductor de potencia Alto voltaje N-canal potencia MOSFET LNA20N50W Descripción Este MOSFET de potencia utiliza la tecnología de fabricación planar VDMOS avanzada, que ofrece baja resistencia a la resistencia, una mayor...

Módulo IGBT de alto rendimiento de 1200V 40A LEGM40BF120L4HZ

Módulo de potencia IGBT Módulo IGBT 40A 1200V - LEGM40BF120L4HZ Aplicaciones: • el inversor • Control de motor y unidades • SMP industrial de alta eficiencia • Suministros ininterrumpidos (UPS) Características: • VCE = 1200V, IC = 40A • VCE bajo...

Tubo único IGBT DXG20N65FS 650V IGBT para control industrial

Tubo único IGBT de 650V para control industrial Características  650V 20A, V CE (SAT) (Typ.) = 1.70 V@20a  Field Stop Technology IGBT.  Capacidad de cortocircuito de 10 μs.  RBSOA cuadrado.  Coeficiente de temperatura VCE positivo (ON)....

1200V 25A Módulos IGBT GSK25PJ120E2

Módulos IGBT de 1200V/25A Características : ⚫ 1200V 25A, VCE (SAT) = 1.90V@25A ⚫ SPT （Punch suave a través de la tecnología ⚫ Pérdidas más bajas ⚫ Mayor eficiencia del sistema ⚫ Excelente capacidad de cortocircuito ⚫ RBSOA cuadrado Aplicaciones...

DXG30N65HSEK 650V 30A Tubo único IGBT

650V 30A, paquete TO47 Tubo único IGBT Características  650V 30A, VCE (SAT) (Typ.) =1.7v@30a  Field Stop Technology IGBT.  Capacidad de cortocircuito de 10 μs.  RBSOA cuadrado.  Coeficiente de temperatura VCE positivo (ON). Beneficios  Alta...