Todos los productos

1500V N-CH High Planar MOSFET PTH03N150

1500V N-CH High Planar MOSFET Potencia MOSFET - PTH03N150 Características generales  Cumplante de ROHS  r ds (encendido), típ. = 5.4 Ω@v gs = 10V  La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación  Diodo de cuerpo de recuperación...

SAM212M10BF1 1200V 10A Módulo de controlador de motor 3 fases

1200V 10A Módulos de potencia inteligente (IPM) Módulo IPM - SAM212M10BF1 Descripción El SAM212M10BF1 es un controlador de motor sin escobillas trifásico en el que los transistores de salida, un circuito previo a la conducción, diodos de arranque...

600V 20A Módulo IPM de 3 fases SIM2-202B

600V 20A Módulos de potencia inteligente (IPM) Módulo IPM- SIM2-202B Descripción El SIM2-202B es un controlador de motor trifásico de alto voltaje en el que los transistores, los circuitos previos a la conducción y los diodos de arranque con...

SIM6897M 600V Módulo de potencia inteligente para unidades de motor

600V 10A Módulos de potencia inteligente (IPM) Módulo IPM - SIM6897M Descripción El SIM6897M es un motor de motor trifásico de alto voltaje en los que los transistores, los circuitos previos a la conducción y los circuitos de arranque (diodos y...

Controladores de motor trifásico de 600 V de alto voltaje SCM1272MF

600V 15A Módulos de potencia inteligente (IPM) Módulo IPM - SCM1272MF Descripción El SCM1272MF es un motor de motor trifásico de alto voltaje en los que los transistores, los circuitos previos a la conducción y los circuitos de arranque (diodos y...

650V 50A Motor de 3 fases SAM265M50BS3

650V 50A Módulos de potencia inteligente (IPM) Módulo IPM - SAM265M50BS3 Descripción El SAM265M50BS3 es un controlador de motor sin escobillas trifásico en el que los transistores de salida, un circuito previo a la conducción, diodos de arranque con...

Controladores de motor 3 fases de 650V 50A SAM265M50AA1

650V 50A Módulos de potencia inteligente (IPM) Módulo IPM - SAM265M50AA1 Descripción El SAM265M50AA1 es un motor de motor 3 fases sin escobillas en los que los transistores de salida, un circuito previo a la conducción, diodos de arranque con...

600V 50A Módulo de potencia inteligente BIPN60050C

600V 50A Módulos de potencia inteligente (IPM) Módulo IPM - BIPN60050CDescripción general BIPN60050C es un módulo de potencia inteligente avanzado (IPM) que ha desarrollado y diseñado recientemente. Este producto presenta un tamaño de paquete...

Eficiente 600V 30A IPM BIP60030G-A para electrodomésticos

600V 30A Módulos de potencia inteligente (IPM) Módulo IPM- BIP60030G-A Descripción general BIP60030G-A es un módulo de potencia inteligente avanzado que ha desarrollado y diseñado recientemente para proporcionar un rendimiento muy compacto y de alto...

IPM 600V 20A BIPN60020C para convertidor de frecuencia

600V 20A Módulos de potencia inteligente (IPM) Módulo IPM - BIPN60020C Descripción general BIPN60020C es un módulo de potencia inteligente avanzado (IPM) que ha desarrollado y diseñado recientemente. Este producto presenta un tamaño de paquete...

BIPN60015C 600V 15A IPM para el servicio de servo

600V 15A Módulos de potencia inteligente (IPM) Módulo IPM - BIPN60015C Descripción general BIPN60015C es un módulo de potencia inteligente avanzado (IPM) que ha desarrollado y diseñado recientemente. Este producto presenta un tamaño de paquete...

600V 20A Módulo de potencia inteligente BIP60020G-B

600V 20A Módulos de potencia inteligente (IPM) Módulo IPM- BIP60020G-B Descripción general BIP60020G-B es un módulo de potencia inteligente avanzado que ha desarrollado y diseñado recientemente, para proporcionar un rendimiento muy compacto y de...

Potencia de alto canal de voltaje MOSFET LSD55R140GF

Mosfet de canal N 550V 23A Power MOSFET, paquete TO20F Perfil de producto Diseñado con tecnología avanzada de Super Junction, Lonfet ™ Power MOSFET alcanza el rendimiento de la conducción. La característica de resistencia en la resistencia de...

600V 30A NCE30TD60B Tubo único IGBT

Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Descripción general Empleando la arquitectura de trinchera patentada de NCE y la tecnología avanzada de parada de campo de segunda generación (FS II), la trinchera de 600V FS II IGBT ofrece...

MOSFET MOSFET de alto voltaje LSB65R180GT

MOSFET de alto voltaje N-canal 650V 20A POWER MOSFET - LSB65R180GT Descripción Aprovechando la tecnología de Super Junction de vanguardia, Lonfet ™ Power Mosfets ofrece una resistencia excepcionalmente baja. Esta característica los posiciona como...

650V 20A TRANSISTOR IGBT DXG20N65PS

Dispositivos discretos de semiconductores - Transistores IGBT Especificaciones clave  Calificación de 650V/20a con VCE típico (SAT) de 1.70V a 20A de corriente  Utiliza la tecnología avanzada de parada de campo  Admite un tiempo de soporte de...

DXG60N65HSE 650V Transistores IGBT

Dispositivos discretos de semiconductores - Transistores IGBT Características  Clasificado para 650V/60A con una típica caída de voltaje en el estado de 2.3V a 60 A de corriente de carga.  Incorpora el diseño IGBT de parada de campo para un...

DXG60N65HSEU 650V 60A Tubo único IGBT

Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Características  650V/60A con voltaje de saturación típico (VCE (SAT)) de 2.3V a 60A  Construido en la arquitectura IGBT de parada de campo para un rendimiento mejorado  Capaz de...