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Mapa de innovación de semiconductores de potencia de Mitsubishi Electric 2025
Aparato con DIPIPMTM: Diseño compacto, potente eficiencia Nuevos módulos IGBT de generación de energía: actualización de energía, empoderamiento ecológico Módulos HV para tracción y transmisión de potencia: alto voltaje, carga pesada, acompañamiento estable Esta serie de módulos de potencia de alta capacidad, al adoptar diodos patentados y componentes IGBT y combinarlos con una estructura de terminal de chip única, puede mejorar significativamente el rendimiento de resistencia a la humedad,...
Descripción general del producto Tamaño pequeño, alta confiabilidad, bajo costo. Trinity mejora la resistencia del producto Estricta evaluación y certificación para garantizar la calidad de los productos a enviar. Adoptar el modelo IDM para construir un sistema de cadena de suministro seguro y confiable Especificación de producto Escenario de aplicación típico: carga rápida para teléfonos móviles Lista de productos En el subcampo OVP bidireccional de 40 V, en comparación con productos de la...
Introducción del producto SGT MOSFET de recuperación inversa ultrarrápida de NCE 250 V
Ventaja principal Características básicas Área de aplicación Comunicación Fuente de alimentación industrial circuito inversor Control de motores de 48V - 100V Amplificación de audio clase D Para diferentes escenarios de aplicación, New Energy Power ha lanzado varias series de productos. En el modelo NCEP025S90T, la letra "S" indica que este producto pertenece a la serie super recovery. Si aquí no hay ninguna letra, indica la serie de plataforma general.
Análisis del principio de funcionamiento de la protección de baterías de litio Comparación de esquemas de protección de baterías de litio El MOSFET de bajo voltaje tipo ranura de NCE es adecuado para aplicaciones en esquemas de protección de baterías de litio.
Los módulos de potencia Jinlan potencian la transformación energética con tecnología "central"
La implementación de políticas depende en última instancia de la innovación tecnológica y de productos confiables. Jinlan Power Semiconductor, aprovechando las ventajas de sus chips de desarrollo propio y sus capacidades de ajuste personalizado, ha lanzado soluciones integrales de módulos de potencia en tres áreas clave: almacenamiento de energía, fotovoltaica y transformadores de estado sólido. Actualmente, la mayoría de sus productos han pasado las pruebas de los clientes y han entrado en la...
Introducción del producto Jinlan Power Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. ha lanzado un producto adecuado para inversores fotovoltaicos de cadena de 125 KW: JL3T400V120SE3G7SS. Adopta el paquete Jinlan LE3 (compatible con el paquete Easy 3B). Ya pasó las pruebas de los clientes y actualmente se encuentra en la etapa de suministro masivo. Tecnología central Excelentes parámetros dinámicos y estáticos, baja caída de voltaje, baja pérdida dinámica, adecuado para escenarios de aplicaciones de alta...
El Power Device Business Group (PDBG) de China Resources Microelectronics ha logrado otro avance significativo en su segmento de módulos de accionamiento principal de SiC. El módulo de accionamiento principal SiC MOS de cuarta generación desarrollado independientemente por PDBG se ha presentado con éxito a un fabricante de automóviles líder y ahora se encuentra en producción en masa para la instalación en vehículos. Este módulo se basa en el chip de plataforma SiC MOS G4 de 1200 V de PDBG, que...
El rápido desarrollo de la industria de vehículos de nueva energía está impulsando una fuerte demanda de soluciones de administración de energía de alto rendimiento, alta eficiencia y altamente confiables. El Power Device Business Group (en lo sucesivo, PDBG), basándose en su profunda acumulación técnica en el campo de los semiconductores y confiando en el diseño de toda la cadena de IDM, se ha centrado continuamente en los campos de control industrial y electrónica automotriz de alta gama,...
![La pérdida de conmutación se reduce en más del 20% en comparación con productos similares en el mercado. * IPM automotriz [SAM265M50AS3]](http://bsg-i.nbxc.com/company/3b/3d6c094295733f1c4df944acfded5f.png?x-oss-process=image/resize,w_500/format,png)
Entre los motores utilizados para accionar los motores trifásicos de alto voltaje de la 【Serie SAM2】, el 【SAM265M50AS3】 ahora se ha puesto oficialmente en producción en masa. La 【Serie SAM2】 adopta un diseño integrado todo en uno, que incorpora componentes de conmutación de salida, precontroladores, diodos de autoalimentación con resistencias limitadoras de corriente y termistores, que son todos los componentes esenciales necesarios para controlar los accionamientos de motores trifásicos. El...
Nuevo producto Mitsubishi Electric Group anunció el 11 de septiembre de 2025 que comenzará a suministrar nuevos módulos semiconductores de potencia DIPIPM compactos para equipos domésticos e industriales (como aires acondicionados de gabinete, sistemas de calefacción con bomba de calor y agua caliente) el 22 de septiembre. La nueva serie Compact DIPIPM incluye PSS30SF1F6 (corriente nominal 30 A/voltaje nominal 600 V) y PSS50SF1F6 (corriente nominal 50 A/voltaje nominal 600 V). Al...
Módulo IGBT de alta densidad de corriente LE2 200A/650V
Módulo IGBT de alta densidad de corriente LE2 200A/650V JL3I200V65RE2PN es un módulo inversor INPC de tres niveles de 650 V/200 A, que utiliza chips IGBT7 con tecnología de terminación de compuerta de zanja, equipado con un termistor (NTC) y tecnología de pasador de engarzado PressFIT opcional. Este módulo IGBT se recomienda para uso en filtros de potencia activos (APF) y otras aplicaciones de tres niveles. APF se puede aplicar ampliamente en las redes de distribución de industrias,...
Introducción a los productos MOSFET SOA anchos de la serie HO de NCE
Principales ventajas tecnológicas 1. Corriente de cortocircuito de zona lineal superfuerte, comparación de valores medidos de capacidad de cortocircuito La prueba de capacidad de cortocircuito se realizó entre el producto representativo de la amplia serie SOA HO, NCE09N70A, y el producto más antiguo del mismo nivel de potencia de NCE: la capacidad de cortocircuito en el rango lineal aumentó en un 50% y la capacidad de cortocircuito de la primera categoría aumentó en un 50%. 2. Área de operación...
NCE SJ MOSFET G4.0 800V y 900V Introducción del producto
Comparación de los valores del multiplicador Rdson a alta temperatura para productos de la misma especificación: en comparación con Gen3, Gen4 ha disminuido en un 16 %; Los productos Gen4 e internacional I han alcanzado el mismo nivel. Comparación de FOM: la versión Gen4 es un 25 % más baja que los productos Gen3 y los internacionales I. Modelo de producto Características del producto ●Densidad de corriente de alta potencia ●Rsp de resistencia ultrabaja ● Alta confiabilidad ● Mejor FOM ● Las...
Chip controlador de puerta en fase de lado bajo de doble canal NSG4427 2A
NSG4427 es un controlador de puerta en fase MOSFET e IGBT de potencia de bajo voltaje. La tecnología patentada CMOS de inmunidad de pestillo permite una gran robustez. El nivel de entrada es compatible con niveles de salida lógica CMOS o LSTTL de tan solo 3,3 V. Tiene un amplio rango de VCC, bloqueo por subtensión con retardo y una etapa de amortiguación de corriente de salida. La conexión paralela de dos canales puede mejorar la capacidad de conducción. Características del producto: Reemplazo...
NCE RC-IGBT NCE15ER135LP Introducción
Este artículo recomienda un IGBT de conducción inversa producido por NCE: NCE15ER135LP. Este es un producto empaquetado TO-3P de 1350 V con una corriente nominal de 15 A a 100 ℃. Este producto adopta el diseño de tecnología de corte de campo de microranuras de séptima generación. Esta estructura puede aumentar significativamente la densidad de la estructura celular del dispositivo. Al optimizar el diseño de almacenamiento del portador, además de agregar un diseño de capa de amortiguación...
MOSFET tipo trinchera de nivel N30V 1mΩ
La plataforma de proceso tipo trinchera del equipo de I+D de NCE ha lanzado una serie de productos MOSFET de canal N mejorados con una tensión nominal de 30 V y una resistencia de 1 mΩ. Superioridad del producto Al adoptar una densidad de celda ultra alta y un diseño de ancho de línea pequeño, utilizando la exclusiva plataforma de proceso tipo zanja de NCE, combinada con el proceso optimizado de empaque de productos de corriente grande, tomando como ejemplo NCE011N30GU, la resistencia de...
2153X Serie 600V CHIP DE MANTIENDO MOSFET/IGBT AutoOScilado de 600V
Dispositivo semiconductor * Mosfet de canal N Características del producto ● Reemplace Infineon IR2153 (1) (S/D), IRS2153 (1) D (S) PBF con PIN2PIN ● Protección de doble voltaje de VCC y VB Dual ● Voltaje de funcionamiento máximo: 600V ● Protección de la zona muerta ● CT, Oscilador programable RT ● El voltaje de la abrazadera VCC es de 15.6V ● Capacidad de corriente de conducción: -Corriente dibujado / corriente suministrado = 1.2a / 1.5a ● SOP8, paquete DIP8 Dip8 SOP8 Diagrama de bloque...
Trendforce (una firma de investigación y consultoría): en el tercer trimestre de 2024, los ingresos de NAND Flash aumentaron en un 4,8%. Hubo una fuerte demanda de SSD de nivel empresarial, pero las órdenes de consumo no se recuperaron. Según la última encuesta de Trendforce, en el tercer trimestre de 2024, el volumen de envío de la industria de NAND Flash disminuyó en un 2%de cuartos de cuarto, pero el precio de venta promedio (ASP) aumentó en un 7%, lo que impulsó los ingresos generales de la...
El 19 de marzo, el tiempo de California en los Estados Unidos, Semi publicó el "Informe de Outlook de fábrica de obleas de 300 mm a 2027 (Informe Fab Outlook de 300 mm a 2027)", indicando que debido a la recuperación del mercado de memoria y la fuerte demanda de aplicaciones informáticas y automotrices de alto rendimiento de alto rendimiento, el primer tiempo de gasto de equipos globales para las fábricas de 300 mm utilizadas en las instalaciones frontales se espera que se espere al...
Trendforce (una firma de investigación y consultoría): para 2025, la demanda de MLCC será impulsada por la infraestructura de IA, y la situación de exceso de oferta enfrentará desafíos. Según la última investigación de Trendforce, en diciembre de 2024, el número de empleo no agrícola en los Estados Unidos y el índice de gerentes de compras de fabricación (PMI) fueron mejores que las expectativas del mercado. Como resultado, la Reserva Federal de los Estados Unidos puede reducir...
Según la última encuesta realizada por Trendforce, debido al hecho de que los principales proveedores de DRAM reducirán gradualmente la producción de servidor y PC DDR4, así como al hecho de que los compradores se están preparando activamente para las compras por adelantado, esto ha admitido el aumento de precios de los módulos de servidor y PC DDR4 en el segundo trimestre. Se estima que el aumento será mejor de lo esperado anteriormente, con un crecimiento trimestral de 18-23% y 13-18%...
Se ha lanzado el primer sistema de diseño de chips de IA del mundo.
Según el informe de Science and Technology Daily, el primer sistema de diseño totalmente automático del mundo para chips de procesadores basado en tecnología de inteligencia artificial, llamada "Ilustración", se lanzó oficialmente recientemente. Este sistema puede lograr un diseño automatizado de procesamiento completo desde el hardware de chip hasta el software básico, lo que indica la realización del diseño de IA para chips. Además, su diseño ha alcanzado el nivel de diseño manual...
Trendforce (una firma de investigación y consultoría): impulsado por una fuerte demanda de IA, se espera que los ingresos de las 10 principales compañías de diseño de IC en todo el mundo aumenten en un 6% en el primer trimestre de 2025. Según la última encuesta realizada por Trendforce, en el primer trimestre de 2025, debido a los cambios en la situación internacional, la preparación para los productos electrónicos terminales se inició anteriormente, y la construcción de centros de datos de IA...
El 10 de abril de 2024, en California, EE. UU., Semi declaró en sus estadísticas de mercado de equipos de semiconductores (WWSEMS) publicados en todo el mundo ". China sigue siendo el mercado de equipos de semiconductores más grandes del mundo. La inversión en China aumentó un 29% interanual en 2023, alcanzando 36.6 mil millones de dólares estadounidenses. Debido a la demanda débil y los ajustes de inventario en el mercado de la memoria, el gasto en equipos en el segundo mercado más...
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