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550V 23A N-Channel Power MOSFET LSB55R140GF

550V N-canal MOSFET Potencia MOSFET LSB55R140GF para control industrial Descripción LONFET ™ Power MOSFETS utilizan tecnología avanzada Super Junction para lograr una resistencia extremadamente baja. Este diseño los optimiza para aplicaciones que...

650V 120A Transistor IGBT DXG120N65GS

Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Características ⚫ 650V 120A, V CE (SAT) (Typ.) = 1.8V ⚫ Habilita las capacidades de conmutación de alta velocidad ⚫ Mejora la eficiencia general del sistema ⚫ Formas de onda de apagado de...

Alta eficiencia 1200V 40A IGBT DXG40S120H Componente

Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Características  1200V, 40A, V CE (SAT) (Typ. =) 1.9V@V GE = 15V  Mayor eficiencia del sistema  Formas de onda de apagado de corriente suave  RBSOA cuadrado Descripción general Estos...

IGBT de alto voltaje DXG15S120H 1200V

Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Características  1200V15A, V CE (SAT) (Typ.) = 1.9 V@15a  Tecnología SPT ( Punch Soft a través)  Pérdidas más bajas  Una mayor eficiencia del sistema  Excelente capacidad de...

IGBT de alto voltaje DXG25N120H 1200V 25A

Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Características  1200V, 25A, V CE (SAT) (Typ.) = 2.3 V@V GE = 15V  Cambio de alta velocidad  Mayor eficiencia del sistema  Formas de onda de apagado de corriente suave  RBSOA cuadrado...

1200V 15A IGBT DXG15N120H para aplicaciones industriales

Dispositivos discretos de semiconductores - Tubo único IGBT Características  Calificación de 1200V/15A : presenta un típico voltaje de saturación (VCE (SAT)) de 2.3V a 15a  Eficiencia optimizada del sistema : ofrece un mejor rendimiento de...

Fuente de alimentación de almacenamiento de Super Energy de 100W Minl

La mejor solución de energía portátil para viajes, aventuras al aire libre y uso diario Descubra la combinación perfecta de potencia y portabilidad con esta unidad de almacenamiento de energía ultra compacta diseñada para satisfacer las demandas de...

Potencia de alto canal de voltaje MOSFET LSD65R380GF

650V N-canal MOSFET Potencia MOSFET 11A, 650V, 0.38Ω - LSD65R380GF Resumen de productos V DS @ T J, Max: 700V R ds (encendido), máx: 0.38Ω I DM: 33a Q G, typ: 21nc Descripción Esta potencia MOSFET se fabrica utilizando tecnología avanzada de Super...

1200V 600A Módulo de potencia IGBT LEGM600CU120L7S para UPS

Módulo de potencia IGBT Módulo IGBT 600A 1200V para UPS Características: • V CE = 1200V I C = 600A • Bajo V CE (SAT) • V CESAT con coeficiente de temperatura positiva • Temperatura máxima de unión 150 ℃ • Paquete de tipo de aislamiento Aplicaciones:...

1500V N-canal potencia MOSFET PTF09N150

1500V N-Chhigh Mosfet Planar Potencia MOSFET - 1500V 9A PTF09N150 Características generales  Cumplante de ROHS  r ds (encendido), típ. =2.8ω@v gs = 10v  La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación  Diodo de cuerpo de...

Alto voltaje N-canal potencia MOSFET LND4N65

MOSFET MOSFET de alto voltaje LND4N65 Descripción general del producto Esta potencia MOSFET se desarrolla utilizando tecnología avanzada VDMOS planar. El dispositivo diseñado ofrece baja resistencia, excelentes características de conmutación y alta...

Alto voltaje N-canal potencia MOSFET LNB20N60

MOSFET MOSFET de alto voltaje LNB20N60 Perfil de producto Utilizando la arquitectura avanzada de VDMOS planar , esta potencia MOSFET ofrece un dispositivo de alto rendimiento caracterizado por RDS (ON) Ultra-Low, excelente velocidad de conmutación y...

Alto voltaje N-canal potencia MOSFET LND12N65

MOSFET de alto voltaje N-canal 650V 12A Potencia MOSFET LND12N65 Descripción El Power MOSFET se fabrica utilizando la tecnología Avanzada Planar VDMOS . El dispositivo resultante tiene baja resistencia a la conducción, rendimiento de conmutación...

300V N-canal potencia MOSFET PTW50N30

300V N-canal MOSFET Power MOSFET para UPS - PTW50N30 Características generales  Tecnología plana nueva patentada  r ds (encendido), típ. = 68mΩ@v gs = 10V  La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación  Diodo corporal con...

Módulo de diodo de recuperación rápida de 1200V JCF200IDA12

Módulo de diodo de 1200V JCF200IDA12Diodo de recuperación súper rápida, 2x200a Características • Paquete estándar internacional con placa base de cerámica DCB • Construcción de diodo dual • Baja corriente de fuga • Caída de voltaje hacia adelante...

Módulo de diodo de recuperación rápida de 1200V JCF200IDK12

Módulo de diodo de 1200V JCF200IDK12 Diodo de recuperación súper rápida, 2x200a Características clave • Paquete estándar internacional: utiliza una placa base de cerámica DCB. • Construcción de diodo dual • Ofrece corriente de fuga excepcionalmente...

Qinwei 600V 15A Diodos de recuperación rápida MUR1560FB

Dispositivos discretos de semiconductores El diodo de recuperación rápida es un diodo semiconductor diseñado específicamente para operaciones de conmutación rápida. Características * Corriente de fuga inversa inferior * Bajo consumo de energía, alta...

MOSFET MOSFET de alto voltaje PTW69N30B

300V N-canal MOSFET Power MOSFET para SMPS - PTW69N30B Características generales  Proceso plano avanzado  r ds (encendido), típ. = 40 mΩ@v gs = 10V  La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación  Estructura resistente de...

PTW90N20 200V N-canal MOSFET

200V N-canal MOSFET Power MOSFET - PTW90N20 (* Un MOSFET (transistor de efecto de campo-óxido de metal-semiconductor) es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje y pertenece a la categoría de componentes electrónicos , regula el flujo de...

1200V N-canal MOSFET PTF12N120 Transistor de alta potencia

1200V N-canal MOSFET Power MOSFET - PTF12N120 Características clave Capacidad de conmutación rápida RDS típico (ON) = 1.2Ω @ VGS = 10V Baja carga de puerta para pérdidas de conmutación reducidas Diodo del cuerpo con características de recuperación...

MOSFET PTF24N90 de alto voltaje de 900 V MOSFET PTF24N90 para uso confiable

900V N-canal MOSFET Potencia MOSFET - PTF24N90 Características y ventajas Fabricado con proceso plano avanzado RDS típico (ON) = 320 MΩ @ VGS = 10V La carga de puerta baja minimiza las pérdidas de conmutación Estructura resistente de la puerta de...

600V N-canal MOSFET PTW26N60

600V N-canal MOSFET Potencia MOSFET --600V 26A PTW26N60 Aplicaciones  Controlador de motor BLDC  soldador eléctrico  SMPS de alta eficiencia Características generales  Proceso plano avanzado  RDS (ON), TYP. = 250 MΩ@VGS = 10V  La carga baja de...

500V N-canal MOSFET PTW28N50

500V N-canal MOSFET Potencia MOSFET --500V 28A PTW28N50 Características generales  Fabricado con tecnología plana avanzada  r ds (encendido), típ. = 170 mΩ@v gs = 10V  La carga baja de la puerta minimiza las pérdidas de conmutación  Estructura...

250V N-canal MOSFET PTW50N25

Mosfet de canal N Potencia MOSFET 250V 50A PTW50N25 Características generales  Tecnología plana nueva patentada  r ds (encendido), típ. = 45mΩ@v gs = 10V  La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación  Diodo de cuerpo de...