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Model No:PTH03N150
1500V N-CH High Planar MOSFET Potencia MOSFET - PTH03N150 Características generales Cumplante de ROHS r ds (encendido), típ. = 5.4 Ω@v gs = 10V La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación Diodo de cuerpo de recuperación...
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Model No:LSD55R140GF
Mosfet de canal N 550V 23A Power MOSFET, paquete TO20F Perfil de producto Diseñado con tecnología avanzada de Super Junction, Lonfet ™ Power MOSFET alcanza el rendimiento de la conducción. La característica de resistencia en la resistencia de...
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Model No:LSB65R180GT
MOSFET de alto voltaje N-canal 650V 20A POWER MOSFET - LSB65R180GT Descripción Aprovechando la tecnología de Super Junction de vanguardia, Lonfet ™ Power Mosfets ofrece una resistencia excepcionalmente baja. Esta característica los posiciona como...
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Model No:LSB55R140GF
550V N-canal MOSFET Potencia MOSFET LSB55R140GF para control industrial Descripción LONFET ™ Power MOSFETS utilizan tecnología avanzada Super Junction para lograr una resistencia extremadamente baja. Este diseño los optimiza para aplicaciones que...
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Model No:LSD65R380GF
650V N-canal MOSFET Potencia MOSFET 11A, 650V, 0.38Ω - LSD65R380GF Resumen de productos V DS @ T J, Max: 700V R ds (encendido), máx: 0.38Ω I DM: 33a Q G, typ: 21nc Descripción Esta potencia MOSFET se fabrica utilizando tecnología avanzada de Super...
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Model No:PTF09N150
1500V N-Chhigh Mosfet Planar Potencia MOSFET - 1500V 9A PTF09N150 Características generales Cumplante de ROHS r ds (encendido), típ. =2.8ω@v gs = 10v La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación Diodo de cuerpo de...
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Model No:LND4N65
MOSFET MOSFET de alto voltaje LND4N65 Descripción general del producto Esta potencia MOSFET se desarrolla utilizando tecnología avanzada VDMOS planar. El dispositivo diseñado ofrece baja resistencia, excelentes características de conmutación y alta...
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Model No:LNB20N60
MOSFET MOSFET de alto voltaje LNB20N60 Perfil de producto Utilizando la arquitectura avanzada de VDMOS planar , esta potencia MOSFET ofrece un dispositivo de alto rendimiento caracterizado por RDS (ON) Ultra-Low, excelente velocidad de conmutación y...
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Model No:LND12N65
MOSFET de alto voltaje N-canal 650V 12A Potencia MOSFET LND12N65 Descripción El Power MOSFET se fabrica utilizando la tecnología Avanzada Planar VDMOS . El dispositivo resultante tiene baja resistencia a la conducción, rendimiento de conmutación...
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Model No:PTW50N30
300V N-canal MOSFET Power MOSFET para UPS - PTW50N30 Características generales Tecnología plana nueva patentada r ds (encendido), típ. = 68mΩ@v gs = 10V La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación Diodo corporal con...
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Model No:PTW69N30B
300V N-canal MOSFET Power MOSFET para SMPS - PTW69N30B Características generales Proceso plano avanzado r ds (encendido), típ. = 40 mΩ@v gs = 10V La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación Estructura resistente de...
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Model No:PTW90N20
200V N-canal MOSFET Power MOSFET - PTW90N20 (* Un MOSFET (transistor de efecto de campo-óxido de metal-semiconductor) es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje y pertenece a la categoría de componentes electrónicos , regula el flujo de...
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Model No:PTF12N120
1200V N-canal MOSFET Power MOSFET - PTF12N120 Características clave Capacidad de conmutación rápida RDS típico (ON) = 1.2Ω @ VGS = 10V Baja carga de puerta para pérdidas de conmutación reducidas Diodo del cuerpo con características de recuperación...
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Model No:PTF24N90
900V N-canal MOSFET Potencia MOSFET - PTF24N90 Características y ventajas Fabricado con proceso plano avanzado RDS típico (ON) = 320 MΩ @ VGS = 10V La carga de puerta baja minimiza las pérdidas de conmutación Estructura resistente de la puerta de...
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Model No:PTW26N60
600V N-canal MOSFET Potencia MOSFET --600V 26A PTW26N60 Aplicaciones Controlador de motor BLDC soldador eléctrico SMPS de alta eficiencia Características generales Proceso plano avanzado RDS (ON), TYP. = 250 MΩ@VGS = 10V La carga baja de...
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Model No:PTW28N50
500V N-canal MOSFET Potencia MOSFET --500V 28A PTW28N50 Características generales Fabricado con tecnología plana avanzada r ds (encendido), típ. = 170 mΩ@v gs = 10V La carga baja de la puerta minimiza las pérdidas de conmutación Estructura...
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Model No:PTW50N25
Mosfet de canal N Potencia MOSFET 250V 50A PTW50N25 Características generales Tecnología plana nueva patentada r ds (encendido), típ. = 45mΩ@v gs = 10V La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación Diodo de cuerpo de...
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Model No:SPTF20R10
200V N-canal MOSFET Potencia MOSFET - SPTF20R10 Características generales Tecnología de trinchera nueva patentada r ds (encendido), típ. =9.3mΩ@v gs = 10v La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación Diodo de cuerpo de...
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Model No:PTW30N50EL
500V N-canal MOSFET Power MOSFET - 500V 30A / PTW30N50EL Características generales Proceso plano avanzado r ds (encendido), típ. = 150mΩ@v gs = 10V La carga baja de la puerta minimiza la pérdida de conmutación Estructura resistente de...
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Model No:LND7N65D
Dispositivos discretos de semiconductores 650V 7A N-Canal Power MOSFET Lnd7n65d Resumen de productos VDSS: 650V ID: 7a RDS (ON), MAX: 1.4Ω QG, típico: 23.5nc Descripción El Power MOSFET se fabrica utilizando la tecnología Avanzada Planar VDMOS . El...
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Model No:LNA20N50W
Dispositivo de semiconductor de potencia Alto voltaje N-canal potencia MOSFET LNA20N50W Descripción Este MOSFET de potencia utiliza la tecnología de fabricación planar VDMOS avanzada, que ofrece baja resistencia a la resistencia, una mayor...
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Model No:LND10N65
650V, 10a Potencia de canal N MOSFET Descripción El Fuerza Mosfet es fabricado usando el avanzado plano VDMOS tecnología . El dispositivo resultante tiene baja conducción resistencia , conmutación superior actuación y alto avalancha energía ....
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Model No:LSD65R380GT
Descripción Lonfet TM Power Mosfet se fabrica utilizando tecnología avanzada de Super Junction . El dispositivo resultante tiene una resistencia extremadamente baja, lo que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad...
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Model No:LSD65R180GF
Descripción Este poder MOSFET emplea tecnología avanzada de Super Junction en su construcción. El dispositivo de ingeniería ofrece una resistencia mínima en la resistencia, por lo que es ideal para aplicaciones que exigen una densidad de potencia...
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